| | PIC18F452-I/P 产品功能特点剖析
高性能,增强闪存 微控制器与10位A / D
• 100000擦除/写周期增强闪存
程式记忆体的典型
• 1,000,000擦除/写周期数据的EEPROM
记忆体
•闪存/数据EEPROM的保留: > 40年
•自我编程软件控制
•电源-关于复位( POR ) ,电力的后续计时器( pwrt )
和振荡器开办计时器(大部分)
•看门狗定时器( wdt )与自己的单晶片钢筋混凝土
振荡器可靠运行
•可编程代码保护
•节电睡眠模式
•可选的振荡器方案,包括:
-4倍锁相环(小学振荡器)
-中学振荡器( 3 2千赫)时钟输入
•单电源5V的在电路串行编程™
( icsp ™ )通过两个引脚
•在电路调试( ICD )的通过两个引脚
PIC18F452-I/P CMOS技术:
•低功耗,高速闪光/ EEPROM的
技术
•完全静态设计
•宽工作电压范围(在2.0 V至5.5 V )
•工业和扩展温度范围
•低功率消耗:
-< 1 .6毫安典型@ 5 V的, 4兆赫
-25 μ A的典型@为3V , 32千赫
-< 0 .2μ A的典型待机电流
深圳安特凌电子公司
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