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型号 简要描述 文件大小 厂家 PDF IRG4BC30W-S INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.10V, @Vge=15V, Ic=12A) 188.51K IRF [International Rectifier]  IRG4BC30W INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)max.=2.70V, @Vge=15V, Ic=12A) 139.38K IRF [International Rectifier]  IRG4BC30WS INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.10V, @Vge=15V, Ic=12A) 188.51K IRF [International Rectifier]                  共3条记录分1页显示

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