特性
pwm-optimizedtrenchfet
电源 场效应晶体管
100% r
g
测试
avalanche 测试
产品
primary 一侧 转变 在:
−
电信 电源 供应
−
distributed 电源 architectures
−
小型的 电源 modules
Si4434DY
vishay siliconix
新 产品
文档号码: 72562
s-32556—rev.b, 15-dec-03
www.vishay.com
1
n-频道 250-v (d-s) 场效应晶体管
产品 summary
V
DS
(v)
r
ds(在)
(
)
I
D
(一个)
250
0.155 @ v
GS
= 10 v 3.0
250
0.162 @ v
GS
= 6.0 v 2.9
所以-8
SD
SD
SD
GD
5
6
7
8
顶 视图
2
3
4
1
D
G
S
n-频道 场效应晶体管
订货 信息: Si4434DY—E3
Si4434DY-t1—e3 (和 录音带 和 卷轴)
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 10 secs 稳步的 状态 单位
流-源 电压 V
DS
250
V
门-源 voltage V
GS
20
V
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
一个
T
一个
= 25
C
I
D
3.0 2.1
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
一个
T
一个
= 70
C
I
D
2.4 1.7
搏动 流 电流 I
DM
30
一个
持续的 源 电流 (二极管 传导)
一个
I
S
2.6 1.3
avalanche 电流 l = 0.1 mh I
作
13
单独的 脉冲波 avalanche 活力 l = 0.1 mh E
作
8.4 mJ
最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 25
C
P
D
3.1 1.56
W最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 70
C
P
D
2.0 1.0
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
−
55 至 150
C
热的 阻抗 比率
参数 标识 典型 最大 单位
Mi J 德州仪器 tAbit
一个
t
10 秒
R
33 40
最大 接合面-至-包围的
一个
稳步的 状态
R
thJA
65 80
c/w
最大 接合面-至-foot (流) 稳步的 状态 R
thJF
17 21
c/w
注释
一个. 表面 挂载 在 1” x 1” fr4 板.