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flash 记忆
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文档 标题
32m x 8 位 与非 flash 记忆
修订 history
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至 改变 这 规格. samsung electronics 将 evaluate 和 reply 至 your requests 和 questions 关于 设备. 如果 你 have
任何 questions, 请 联系 这 samsung branch 办公室 near 你.
修订 非.
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0.1
0.2
0.3
0.4
Remark
先进的
信息
初步的
初步的
History
最初的 公布.
1. 支持 copy-后面的 程序
- 这 copy-后面的 程序 是 配置 至 quickly 和 efficiently rewrite
数据 贮存 在 一个 页 在里面 这 排列 至 另一 页 在里面 这
一样 排列 没有 utilizing 一个 外部 记忆. 自从 这 时间-con
suming sequently-读 和 它的 re-加载 循环 是 移除, 这
系统 效能 是 改进. 这 益处 是 特别 obvious
当 一个 portion 的 一个 块 是 updated 所以 那 这 rest 的 这 块 也
需要 至 是 copied 至 这 newly assigned 自由 块.
1. explain 如何 pointer 运作 工作 在 detail.
2. 为 partial 页 程序编制 在 这 copied 页
- once 这 copy-后面的 程序 是 finished, 任何 额外的 partial 页
程序编制 在 这 copied 页 是 prohibited 在之前 擦掉.
3. renamed 地 输入 (管脚 # 6) 在 behalf 的SE(管脚 # 6)
-这SE输入 控制 这 进入 的 这 spare 范围. 当SE是 高,
这 spare 范围 是 不 accessible 为 读 或者 程序编制.SE是 rec
ommended 至 是 结合 至 地 或者 vcc 和 应当 不 是 toggled
在 读 或者 程序编制.
=>连接 这个 输入 管脚 至 地 或者 设置 至 静态的 低 状态 除非 这
sequential 读 模式 excluding spare 范围 是 使用.
4. updated 运作 为 trst 定时
- 如果 重置 command(ffh) 是 写 在 准备好 状态, 这 设备 变得 在
busy 为 最大 5us.
1. 在 增加, explain我们函数 在 管脚 描述
- 这我们必须 是 使保持 高 当 输出 是 使活动.
1.powerup sequence 是 增加
: 恢复 时间 的 最小 1
µ
s 是 必需的 在之前 内部的 电路 gets
准备好 为 任何 command sequences
2. 交流 参数 tclr(cle 至RE延迟, 最小值 50ns) 是 增加.
3. 交流 参数 tar1 值 : 100ns --> 20ns
V
CC
WP
高
≈
≈
~ 2.5v
~ 2.5v
≈
我们
1
µ
draft 日期
july 17th 2000
oct. 4th 2000
十一月 20th 2000
三月. 2th 2001
jul. 22th 2001
便条 : 为 更多 详细地 特性 和 规格 包含 faq, 请 谈及 至 samsung’s flash 网 站点.
http://www.intl.samsungsemi.com/记忆/flash/数据手册.html
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