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资料编号:1077719
 
资料名称:4am14
 
文件大小: 38611K
   
说明
 
介绍:
Silicon N Channel/P Channel Complementary Power MOS FET Array
 
 


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1
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2
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3
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
应用
高 速 电源 切换
特性
低 在-阻抗
n-频道: R
DS
(在)
0.17
, v
GS
= 10 v
I
D
= 4 一个
p-频道: R
DS
(在)
0.2
, v
GS
= –10 v
I
D
= –4 一个
有能力 的 4 v 门 驱动
低 驱动 电流
hight 速 切换
高 密度 挂载
合适的 为 h-bridged 发动机 驱动器
分离的 packaged 设备 的 一样 消逝
n-频道: 2sk970 (至-220ab),
2sk1093 (至-220fm)
p-频道: 2sj172 (至-220ab),
2sj175 (至-220fm)
表格 1 绝对 最大 比率
(ta = 25°c)
比率
–––––––––––––––––––––
Item 标识 Nch Pch 单位
———————————————————————————————————————————
流 至 源 电压 V
DSS
60 –60 V
———————————————————————————————————————————
门 至 源 电压 V
GSS
±20 ±20 V
———————————————————————————————————————————
流 电流 I
D
8–8A
———————————————————————————————————————————
流 顶峰 电流 I
d(脉冲波)
* 32 –32 一个
———————————————————————————————————————————
body–drain 二极管 反转 流 电流 I
DR
8–8A
———————————————————————————————————————————
频道 消耗 pch (tc =25°c)** 32 W
———————————————————————————————————————————
频道 消耗 Pch** 4 W
———————————————————————————————————————————
频道 温度 Tch 150 °C
———————————————————————————————————————————
存储 温度 Tstg –55 至 +150 °C
———————————————————————————————————————————
* PW
10 µs, 职责 循环
1 %
** 4 设备 运作
sp-12ta
2
4
9
11
3
6
7
10
15
812
Nch
Pch
1, 5, 8, 12 ; 门
2, 4, 9, 11 ; 流
3, 6, 7, 10 ; 源
1
12
4AM14
硅 n 频道/p 频道 complementary 电源 mos 场效应晶体管 排列
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