warp2 序列 igbt 和
ultrafast 软 恢复 二极管
IRGP35B60PD
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特性
•
npt 技术, 积极的 温度 系数
•
更小的 v
CE
(sat)
•
更小的 parasitic capacitances
•
minimal tail 电流
•
hexfred 过激 快 软-恢复 co-包装 二极管
•
tighter 分发 的 参数
•
高等级的 可靠性
益处
•
并行的 运作 为 高等级的 电流 产品
•
更小的 传导 losses 和 切换 losses
•
高等级的 切换 频率 向上 至 150khz
E
G
n-频道
C
V
CES
= 600v
V
ce(在)
典型值 = 1.85v
@ v
GE
= 15v
I
C
= 22a
相等的 场效应晶体管
参数
R
ce(在)
典型值 = 84m
Ω
I
D
(场效应晶体管 相等的) = 35a
产品
•
电信 和 server smps
•
pfc 和 zvs smps 电路
•
uninterruptable 电源 供应
•
消费者 electronics 电源 供应
至-247ac
G
C
E
smps igbt
绝对 最大 比率
参数 最大值 单位
V
CES
集电级-至-发射级 电压 600 V
I
C
@ t
C
= 25°c 持续的 集电级 电流 60
I
C
@ t
C
= 100°c
持续的 集电级 电流 34
I
CM
脉冲波 集电级 电流 (ref. 图. c.t.4) 120
I
LM
clamped inductive 加载 电流
d
120 一个
I
F
@ t
C
= 25°c 二极管 continous 向前 电流 40
I
F
@ t
C
= 100°c
二极管 continous 向前 电流 15
I
FRM
最大 repetitive 向前 电流
e
60
V
GE
门-至-发射级 电压 ±20 V
P
D
@ t
C
= 25°c 最大 电源 消耗 308 W
P
D
@ t
C
= 100°c
最大 电源 消耗 123
T
J
运行 接合面 和 -55 至 +150
T
STG
存储 温度 范围 °C
焊接 温度 为 10 秒. 300 (0.063 在. (1.6mm) 从 情况)
挂载 torque, 6-32 或者 m3 screw 10 lbf·in (1.1 n·m)
热的 阻抗
参数 最小值 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
(igbt) 热的 阻抗 接合面-至-情况-(各自 igbt) ––– ––– 0.41 °c/w
R
θ
JC
(二极管)
热的 阻抗 接合面-至-情况-(各自 二极管) ––– ––– 1.7
R
θ
CS
热的 阻抗, 情况-至-下沉 (flat, greased 表面) ––– 0.50 –––
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的 (典型 插座 挂载) ––– ––– 40
重量 ––– 6.0 (0.21) ––– g (oz)
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