最终
Publication#
08140
rev:
I
amendment/
0
公布 日期:
将 1998
Am27C512
512 kilobit (64 k x 8-位) cmos 非易失存储器
distinctive 特性
■
快 进入 时间
— 速 选项 作 快 作 55 ns
■
低 电源 消耗量
— 20 µa 典型 cmos 备用物品 电流
■
电子元件工业联合会-批准 引脚
■
单独的 +5 v 电源 供应
■
±
10% 电源 供应 容忍 标准
■
100% flashrite™ 程序编制
— 典型 程序编制 时间 的 8 秒
■
获得-向上 保护 至 100 毫安 从 –1 v 至
V
CC
+ 1 v
■
高 噪音 免除
■
多功能的 特性 为 简单的 接合
— 两个都 cmos 和 ttl 输入/输出 兼容性
— 二 线条 控制 功能
■
标准 28-管脚 插件, pdip, 和 32-管脚 plcc
包装
一般 描述
这 am27c512 是 一个 512-kbit, ultraviolet 可擦掉的 pro-
grammable 读-仅有的 记忆. 它 是 有组织的 作 64k
words 用 8 位 每 文字, 运作 从 一个 单独的 +5 v
供应, 有 一个 静态的 备用物品 模式, 和 特性 快
单独的 地址 location 程序编制. 产品 是
有 在 windowed 陶瓷的 插件 包装, 作 好
作 塑料 一个 时间 可编程序的 (otp) pdip 和
plcc 包装.
数据 能 是 典型地 accessed 在 较少 比 55 ns, al-
lowing 高-效能 微处理器 至 运作
没有 任何 wait states. 这 设备 提供 独立的
输出 使能 (oe#) 和 碎片 使能 (ce#) 控制,
因此 eliminating 总线 contention 在 一个 多样的 总线 微观的-
处理器 系统.
amd’s cmos 处理 技术 提供 高
速, 低 电源, 和 高 噪音 免除. 典型
电源 消耗量 是 仅有的 80 mw 在 起作用的 模式, 和
100 µw 在 备用物品 模式.
所有 信号 是 ttl 水平, 包含 程序编制 sig-
nals. 位 locations 将 是 编写程序 singly, 在
blocks, 或者 在 随机的. 这 设备 支持 amd’s
flashrite 程序编制 algorithm (100 µs 脉冲), re-
sulting 在 一个 典型 程序编制 时间 的 8 秒.
块 图解
08140i-1
A0–A15
地址
输入
CE#
oe#/v
PP
V
CC
V
SS
数据 输出
DQ0–DQ7
输出
缓存区
Y
Gating
524,288
位 Cell
矩阵变换
X
解码器
Y
解码器
输出 使能
碎片 使能
和
prog 逻辑