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1996
数据 薄板
mos 地方 效应 晶体管
2SK2090
这 2sk2090 是 一个 n-频道 vertical mos 场效应晶体管. 因为
它 能 是 驱动 用 一个 电压 作 低 作 2.5 v 和 它 是 不
需要 至 考虑 一个 驱动 电流, 这个 场效应晶体管 是 完美的 作 一个
actuator 为 低-电流 可携带的 系统 此类 作 headphone
stereos 和 video cameras.
特性
• 门 能 是 驱动 用 2.5 v
• 因为 的 它的 高 输入 阻抗, 那里’s 非 需要 至
考虑 驱动 电流
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25 ˚c)
参数 标识 测试 情况 比率 单位
流 至 源 电压 V
DSS
V
GS
= 0 50 V
门 至 源 电压 V
GSS
V
DS
= 0
±
7.0 V
流 电流 (直流) I
d(直流)
±
100 毫安
流 电流 (脉冲波) I
d(脉冲波)
PW
≤
10 ms, 职责 循环
≤
50 %
±
200 毫安
总的 电源 消耗 P
T
150 mW
频道 温度 T
ch
150 ˚C
存储 温度 T
stg
–55 至 +150 ˚C
文档 非. d11228ej1v0ds00 (1st 版本)
日期 发行 六月 1996 p
打印 在 日本
包装 维度 (在 mm)
标记: g22
1.25 ±0.1
2.1 ±0.1
D
0.3
+0.1
–0.05
0.3
+0.1
–0
G
S
2.0 ±0.2
0.650.65
0.15
+0.1
–0.05
0 至 0.1
0.3
0.9 ±0.1
标记
相等的 curcuit
源 (s)
内部的
二极管
门
保护
二极管
门 (g)
流 (d)
管脚
连接
s:
d:
g:
源
流
门
n-频道 mos 场效应晶体管 为 高-速 切换
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