jiangsu changjiang electronics 技术 co., 有限公司
至-92 塑料-encapsulate 晶体管
3DK2222A
晶体管(npn )
特性
电源 消耗
P
CM
: 0.625 w(tamb=25
℃
)
最大 ratings* t
一个
=25
℃
除非 否则 指出
标识 参数 值 单位
V
CBO
集电级-根基 电压
75 v
V
CEO
集电级-发射级 电压
40 v
V
EBO
发射级-根基 电压
6 v
I
C
集电级 电流 -持续的 600 毫安
P
D
总的 设备 消耗 625 mW
T
J
接合面 温度 150
℃
T
stg
接合面 和 存储 温度 -55-150
℃
*these 比率 是 限制的 值在之上 这个 这 serviceability 的任何 半导体 设备 将 是
impaired.
电的 特性(tamb=25
℃
除非 否则 指定)
参数
标识 测试 情况 最小值 最大值 单位
集电级-根基 损坏 电压
v(br)
CBO
ic= 10ua , i
E
=0 75 v
集电级-发射级 损坏 电压
v(br)
CEO
I
C
= 10 毫安 , I
B
=0 40 v
发射级-根基 损坏 电压
v(br)
EBO
I
E
= 10ua, i
C
=0 6 v
集电级 截-止 电流
I
CBO
V
CB
= 60 v , I
E
=0 10 na
集电级 截-止 电流
I
CEX
V
CE
= 60 v , v
eb(止)
=3v 10 na
发射级 截-止 电流
I
EBO
V
EB
= 3 v , i
C
=0 10 na
h
fe(1)
V
CE
=10 v, i
C
= 150ma 100 300
h
fe(2)
V
CE
=10 v, i
C
= 0.1ma 40
直流 电流 增益
h
fe(3)
V
CE
=10 v, i
C
= 500ma 42
V
ce(sat)(1)
I
C
= 500 毫安, i
B
= 50 毫安 0.6 V
集电级-发射级 饱和 电压
V
ce(sat)(2)
I
C
= 150 毫安, i
B
= 15 毫安 0.3 V
根基-发射级 饱和 电压
V
是(sat)
I
C
= 500 毫安, i
B
= 50 毫安 1.2 V
存储 时间
t
stg
V
CC
=30v, i
C
=150ma, i
B1
=I
B2
=15ma 225 ns
转变 频率
f
T
V
CE
= 20 v, i
C
= 20ma,
f =
100MHz
300 mhz
分类 的 h
fe(1)
分级
l h
范围
100-200 200-300
1
2
3
至-92
1.
发射级
2.
根基
3. 集电级
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