rf characteristics ( watts 输出 )250
一般 描述
硅 vdmos 和 ldmos
晶体管 设计 specifically
为 broadband rf 产品.
合适的 为 军队 收音机,
cellular 和 paging 放大器 根基
stations, broadcast fm/am, mri,
激光器 driver 和 其他.
专利的 金 metalized
250Watts Gemini
包装 样式 AR
高 效率, 直线的,
绝对 最大 比率 (tc = 25 c)
o
总的
设备
接合面 至
情况 热的
最大
接合面
存储
温度
直流 流
电流
流 至
门
流 至
源
门 至
源
440 Watts 0.4
C
o
200 -65 至 150
10 一个
30V
VV150 150
电的 特性 (各自 一侧)
标识 参数 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
标识 参数 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
Gps
η
VSWR
一般 源 电源 gai
流 efficienc
加载 mismatch toleranc
dB
%
相关的
13
65
1.2
20:1
idq =
idq =
idq =
1.2
1.2
一个,
一个,
一个,
50.0vds = v,
50.0vds = v,
50.0vds = v,
f = 150 MHz
f = 150 MHz
f = 150 MHz
Bvdss
Idss
Igss
Vgs
gM
Rdson
Idsat
Ciss
Crss
Coss
流 损坏 voltag
零 偏差 流 curren
门 泄漏 curren
门 偏差 为 流 curren
向前 transconductanc
饱和 resistanc
饱和 curren
一般 源 输入 capacitanc
一般 源 反馈 capacitanc
一般 源 输出 capacitanc
125
12
1
71
4.8
0.25
28.8
270
13.2
120
Mho
Ohm
放大
pF
V
V
pF
pF
毫安
uA
0.1ids = 一个,
vgs = 0v
50.0vds = v, vgs = 0v
vds = 0 v, vgs = 30v
0.15ids = 一个, vgs = vds
vds = 10v, vgs = 5v
vgs = 20v, ids = 12
vgs = 20v, vds = 10v
50.0vds = v, vgs = 0v, f = 1 mhz
一个
50.0vds = v, vgs = 0v, f = 1 mhz
50.0vds = v, vgs = 0v, f = 1 mhz
polyfet rf 设备
1110 avenida acaso, camarillo, ca 93012 电话:(805) 484-4210 fax:(805) 484-3393 email:sales@polyfet.com url:www.polyfet.com
修订
硅 门 增强 模式
rf poWER
高 增益, low 噪音
"polyfet" 处理 特性
金 metal 为 非常 扩展
存在期. 低 输出 电容
和 高 f 增强 broadband
效能
t
TM
C
o
C
o
c/W
o
F1427
polyfet rf 设备
消耗 阻抗 温度 电压 电压 电压
1/12/98
VDMOS 晶体管
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