半导体 组件 industries, llc, 2004
二月, 2004 − rev. 3
1
发行 顺序 号码:
bas16ht1/d
BAS16HT1
preferred 设备
切换 二极管
最大 比率
比率 标识 值 单位
持续的 反转 电压 V
R
75 Vdc
顶峰 向前 电流 I
F
200 mAdc
顶峰 向前 surge 电流 I
fm(surge)
500 mAdc
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
总的 设备 消耗 fr-5 板 (便条 1)
T
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
200
1.57
mW
mw/
°
C
热的 阻抗 接合面 至 包围的 R
θ
JA
635
°
c/w
接合面 和 存储 温度 T
J
, t
stg
−55 至
150
°
C
1. fr-4 最小 垫子.
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的
标识 最小值 最大值 单位
止 特性
反转 电压 泄漏 电流
(v
R
= 75 vdc)
(v
R
= 75 vdc, t
J
= 150
°
c)
(v
R
= 25 vdc, t
J
= 150
°
c)
I
R
−
−
−
1.0
50
30
µ
模数转换器
反转 损坏 电压
(i
BR
= 100
µ
模数转换器)
V
(br)
75 − Vdc
向前 电压
(i
F
= 1.0 madc)
(i
F
= 10 madc)
(i
F
= 50 madc)
(i
F
= 150 madc)
V
F
−
−
−
−
715
855
1000
1250
mV
二极管 电容
(v
R
= 0, f = 1.0 mhz)
C
D
− 2.0 pF
向前 恢复 电压
(i
F
= 10 madc, t
r
= 20 ns)
V
FR
− 1.75 Vdc
反转 恢复 时间
(i
F
= i
R
= 10 madc, r
L
= 50
Ω
)
t
rr
− 6.0 ns
贮存 承担
(i
F
= 10 madc 至 v
R
= 5.0 vdc,
R
L
= 500
Ω
)
Q
S
− 45 pC
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SOD−323
情况 477
样式 1
标记 图解
Preferred
设备 是 推荐 choices 为 future 使用
和 最好的 整体的 值.
1
CATHODE
2
ANODE
A6 = 明确的 设备 代号
M = 日期 代号
设备 包装 Shipping
†
订货 信息
BAS16HT1 SOD−323 3000/录音带 &放大; 卷轴
†for 信息 在 录音带 和 卷轴 规格,
包含 部分 方向 和 录音带 sizes, 请
谈及 至 我们的 录音带 和 卷轴 包装 规格
brochure, brd8011/d.
1
2
a6 m
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