flash 记忆
1
K9K1216D0C
K9K1216U0C
K9K1208D0C
K9K1208U0C
K9K1208Q0C
K9K1216Q0C
文档 标题
64m x 8 位 , 32m x 16 位 与非 flash 记忆
修订 history
这 连结 数据手册 是 准备好 和 批准 用 samsung electronics. samsung electronics co., 有限公司. 保留 这 正确的
至 改变 这 规格. samsung electronics 将 evaluate 和 reply 至 y我们的 requests 和 questions 关于 设备. 如果 你 have
任何 questions, 请 联系 这 samsung branch 办公室 near 你.
修订 非.
0.0
1.0
2.0
2.1
2.2
2.3
2.4
2.5
Remark
进步
初步的
初步的
History
最初的 公布.
1.管脚 分派 的 tbga dummy 球 是 changed.
(在之前) dnu --> (之后) n.c
2. 增加 这 rp vs tr ,tf &放大; rp vs ibusy 图表 为 1.8v 设备 (page 34)
3. 增加 这 数据 保护 vcc guidence为 1.8v 设备 - 在下 关于
1.1v. (页 35)
4. 增加 这 规格 的块 锁 scheme.(页 29~32)
5. 管脚 分派 的 tbga a3 球 是 changed.
(在之前) n.c --> (之后) vss
1. 这 最大 运行 电流 是 changed.
读 : icc1 20ma-->30ma
程序 : icc2 20ma-->40ma
擦掉 : icc3 20ma-->40ma
这 最小值 vcc 值 1.8v 设备 是 changed.
k9k12xxq0c : vcc 1.65v~1.95v --> 1.70v~1.95v
铅-自由 包装 是 增加.
k9k1208u0c-hcb0,hib0
k9k12xxq0c-hcb0,hib0
k9k1216u0c-hcb0,hib0
k9k1216q0c-hcb0,hib0
errata 是 增加.(front 页)-k9k12xxq0c
twc twp trc treh trp trea tcea
规格 45 25 50 15 25 30 45
relaxed 值 60 40 60 20 40 40 55
1. 最大值 厚度 的 tbga packge 是 changed.
0.09
±
0.10
(在之前)
-->
1.10
±
0.10
(之后)
2. 新 定义 的 这 号码 的 invalid blocks 是 增加.
(最小 1004 有效的 blocks 是有保证的 为 各自 相接的 128mb
记忆 空间.)
1. 这 guidence 的 lockpre 管脚 用法 是 changed.
don’t leave 它 n.c. 不 使用 锁 mechanism &放大; 电源-在 auto-
读, 连接 它 vss.(在之前)
--> 不 使用 锁 mechanism&放大; 电源-在 自动-读, 连接
它 vss 或者 leave 它 n.c(之后)
2. 2.65v 设备 是 增加.
3. 便条 是 增加.
(vil 能 undershoot 至 -0.4v 和 vih 能 越过 至 vcc +0.4v 为
durations 的 20 ns 或者 较少.)
draft 日期
sep. 12th 2002
jan. 3rd 2003
jan. 17th 2003
三月. 5th 2003
三月. 13rd 2003
三月. 17th 2003
apr. 4th 2003
jul. 4th 2003
便条 : 为 更多 详细地 特性 和 规格 在cluding faq, 请 谈及 至 samsung’s flash 网 站点.
http://www.samsung.com/产品/半导体/flash/technicalinfo/数据手册.htm
: 点此下载
