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标识 情况 最大 比率
V
CES
T
J
= 25°c 至 150°c 1200 V
V
CGR
T
J
= 25°c 至 150°c; r
GE
= 20 k
1200 V
V
GES
持续的 ±20 V
V
GEM
瞬时 ±30 V
I
C25
T
C
= 25°c 38 一个
I
C90
T
C
= 90°c 25 一个
I
CM
T
C
= 90°c, t
p
= 1 ms 50 一个
RBSOA
V
GE
= ±15 v, t
J
= 125°c, r
G
= 82
I
CM
= 35 一个
clamped inductive 加载, l = 30 µh V
CEK
< v
CES
t
SC
V
GE
= ±15 v, v
CE
= v
CES
, t
J
= 125°c 10 µs
(scsoa)
R
G
= 82
, 非 repetitive
P
C
T
C
= 25°c IGBT 200 W
二极管 75 W
T
J
-55 ... +150 °C
T
stg
-55 ... +150 °C
最大 含铅的 温度 为 焊接 300 °C
1.6 mm (0.062 在.) 从 情况 为 10 s
M
d
挂载 torque 0.8 - 1.2 Nm
重量
6g
V
CES
= 1200 v
I
C25
= 38 一个
V
ce(sat) 典型值
= 2.4 v
特性
●
npt igbt 技术
●
低 饱和 电压
●
低 切换 losses
●
正方形的 rbsoa, 非 获得 向上
●
高 短的 电路 能力
●
积极的 温度 系数 为
容易 paralleling
●
mos 输入, 电压 控制
●
optional 过激 快 二极管
●
国际的 标准 包装
有利因素
●
空间 savings
●
高 电源 密度
典型 产品
●
交流 发动机 速 控制
●
直流 伺服 和 robot 驱动
●
直流 choppers
●
uninteruptible 电源 供应 (ups)
●
转变-模式 和 resonant-模式
电源 供应
高 电压 igbt
和 optional 二极管
短的 电路 soa 能力
正方形的 rbsoa
ixdh 20n120
ixdh 20n120 d1
标识 情况 典型的 值
(t
J
= 25°c, 除非 否则 指定)
最小值 典型值 最大值
V
(br)ces
V
GE
= 0 v 1200 V
V
ge(th)
I
C
= 0.6 毫安, v
CE
= v
GE
4.5 6.5 V
I
CES
V
CE
= v
CES
T
J
= 25°c 1 毫安
T
J
= 125°c 2 毫安
I
GES
V
CE
= 0 v, v
GE
= ±
20 v ± 500 nA
V
ce(sat)
I
C
= 20 一个, v
GE
= 15 v 2.4 3 V
至-247 ad
g = 门, e = 发射级
c = 集电级 , tab = 集电级
G
E
C
c (tab)
ixdh 20n120 ixdh 20n120 d1
G
C
E
G
C
E
031
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