IKA03N120H2
电源 半导体
1 三月-04, rev. 2
highspeed 2-技术 和 软, 快恢复 反对-parallel emcon he 二极管
G
C
E
•
设计 为:
- tv – horizontal 线条 deflection
•
2
nd
一代 highspeed-技术
为 1200v 产品 提供:
- 丧失 减少 在 resonant 电路
- 温度 稳固的 行为
- 并行的 切换 能力
- tight 参数 分发
- 整体的 反对-并行的 二极管
-
E
止
优化 为
I
C
=3A
p-to220-3-31
(fullpak)
p-to220-3-34
(fullpak)
•
完全 产品 spectrum 和 pspice 模型 :http://www.infineon.com/igbt/
类型
V
CE
I
C
E
止
T
j
标记 包装 订货 代号
ika03n120h2 1200v 3a 0.15mj
150
°
C
K03H1202 p-至-220-3-31 q67040-s4649
ika03n120h2 1200v 3a 0.15mj
150
°
C
K03H1202 p-至-220-3-34 q67040-s4655
最大 比率
参数 标识 值 单位
集电级-发射级 电压
V
CE
1200 v
triangular 集电级 顶峰 电流 (
V
GE
= 15v)
T
C
= 100
°
c,
f
= 32khz
I
C
8.2
搏动 集电级 电流,
t
p
限制 用
T
jmax
I
Cpuls
9
转变 止 safe 运行 范围
V
CE
≤
1200v,
T
j
≤
150
°
C
-
9
一个
二极管 向前 电流
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
I
F
9.6
3.9
门-发射级 电压
V
GE
±
20
V
电源 消耗
T
C
= 25
°
C
P
tot
29 w
运行 接合面 和 存储 温度
T
j
,
T
stg
-40...+150
焊接 温度, 1.6mm (0.063 在.) 从 情况 为 10s - 260
°
C
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