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12月 1996 顺序 号码: 290490-005
n
用户-可选择的 3.3v 或者 5v v
CC
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用户-configurable x8 或者 x16 运作
n
70 ns 最大 进入 时间
n
28.6 mb/秒 burst 写 转移 比率
n
1 million 典型 擦掉 循环 每 块
n
56-含铅的, 1.2 x 14 x 20 mm 先进的
双 消逝 tsop 包装 技术
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64 independently lockable blocks
n
revolutionary architecture
100% backwards-兼容 和
intel 28f016sa
pipelined command 执行
程序 在 擦掉
n
2 毫安 典型 i
CC
在 静态的 模式
n
2 µa 典型 深的 电源-向下
n
状态-的-这-艺术 0.6 µm etox™ iv flash
技术
intel’s dd28f032sa 32-mbit flashfile™ 记忆 是 一个 revolutionary architecture 这个 使能 这 设计 的
truly mobile, 高 效能, 个人的 computing 和 交流 产品. 和 革新的
能力, 低 电源 运作 和 非常 高 读/程序 效能, 这 dd28f032sa 是 也 这 完美的
选择 为 designing embedded mass 存储 flash 记忆 系统.
这 dd28f032sa 是 这 结果 的 高级地-先进的 包装 innovation 这个 encapsulates 二 28f016sa
消逝 在 一个 单独的 双 消逝 薄的 小 外形 包装 (ddtsop).
这 dd28f032sa 是 这 最高的 密度, 最高的 效能 nonvolatile 读/程序 解决方案 为 固体的-
状态 存储 产品. 它的 symmetrically-blocked architecture (100% 兼容 和 这 28f016sa
16-mbit flashfile 记忆), 非常 高-cycling, 低-电源 3.3v operation, 非常 快 程序 和 读
效能 和 选择性的 块 locking 提供 一个 高级地 有伸缩性的 记忆 组件 合适的 为 高-密度
记忆 cards, resident flash arrays 和 pcmcia-ata flash 驱动. 这 dd28f032sa’s 双 读 电压
使能 这 设计 的 记忆 cards 这个 能 是 读/写 在 3.3v 和 5.0v系统 interchangeably. 它的
x8/x16 architecture 准许 这 optimization 的 记忆 至 处理器 接口. 这 有伸缩性的 块 locking 选项
使能 bundling 的 executable 应用 软件 在 一个 resident flash 排列 或者 记忆 card. 这
dd28f032sa 将 是 制造的 在 intel’s 0.6 µm etox iv 技术.
DD28F032SA
32-mbit (2 mbit x 16, 4 mbit x 8)
flashfile™ 记忆
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