IRLI3615
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
fifth 一代 hexfets 从 国际的 整流器 utilize 先进的
处理 技巧 至 达到 极其 低 在-阻抗 每 硅 范围.
这个 益处, 联合的 和 这 快 切换 速 和 加固 设备
设计 那 hexfet 电源 mosfets 是 好 知道 为, 提供 这
设计者 和 一个 极其 效率高的 和 可依靠的 设备 为 使用 在 一个 宽 多样性
的 产品.
这 至-220 fullpak 排除 这 需要 为 额外的 insulating 硬件 在
商业的-工业的 产品. 这 moulding 复合 使用 提供 一个
高 分开 能力 和 一个 低 热的 阻抗 在 这 tab 和
外部 散热器. 这个 分开 是 相等的 至 使用 一个 100 micron mica 屏障
和 标准 至-220 产品. 这 fullpak 是 挂载 至 一个 散热器 使用 一个
单独的 clip 或者 用 一个 单独的 screw fixing.
S
D
G
参数 最大值 单位
I
D
@ t
C
= 25
°
C 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 14
I
D
@ t
C
= 100
°
C 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 9.8 一个
I
DM
搏动 流 电流
56
P
D
@T
C
= 25
°
C 电源 消耗 45 W
直线的 减额 因素 0.30 w/
°
C
V
GS
门-至-源 电压 ±16 V
E
作
单独的 脉冲波 avalanche 活力
340 mJ
I
AR
avalanche 电流
8.4 一个
E
AR
repetitive avalanche 活力
4.5 mJ
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt
5.0 v/ns
T
J
运行 接合面 和 -55 至 + 175
T
STG
存储 温度 范围
焊接 温度, 为 10 秒 300 (1.6mm 从 情况 )
°
C
挂载 torque, 6-32 或者 m3 srew 10 lbf
•
在 (1.1n
•
m)
绝对 最大 比率
参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
接合面-至-情况
–––
3.3
R
θ
JA
接合面-至-包围的
–––
65
热的 阻抗
V
DSS
= 150v
R
ds(在)
= 0.085
Ω
I
D
= 14a
先进的 处理 技术
过激 低 在-阻抗
动态 dv/dt 比率
175
°
c 运行 温度
快 切换
全部地 avalanche 评估
描述
01/30/02
www.irf.com 1
至-220 fullpak
°
c/w
pd - 94390
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