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mw4ic2230mbr1 mw4ic2230gmbr1
motorola rf 设备 数据
这 wideband ic 线条
rf ldmos wideband 整体的
电源 放大器
这 mw4ic2230 wideband 整体的 电路 是 设计 为 w-cdma 根基
station 产品. 它 使用 motorola’s newest 高 电压 (26 至 28 伏特)
ldmos ic 技术 和 integrates 一个 multi-平台 结构. 它的 wideband
在-碎片 设计 制造 它 usable 从 1600 至 2400 mhz. 这 线性
performances 覆盖 所有 modulations for cellular 产品: gsm, gsm
边缘, tdma, cdma 和 w-cdma.
最终 应用
典型 单独的-运输车 w-cdma 效能:
V
DD
= 28 伏特, i
DQ1
=
60 毫安, i
DQ2
= 350 毫安, p
输出
= 5 watts avg., f = 2140 mhz, 频道
带宽 = 3.84 mhz, 顶峰/avg. = 8.5 db @ 0.01% probability 在
ccdf.
电源 增益 — 31 db
流 效率 — 15%
acpr @ 5 mhz =-45 dbc @ 3.84 mhz 带宽
驱动器 应用
典型 单独的-运输车 w-cdma 效能:
V
DD
= 28 伏特, i
DQ1
=
60 毫安, i
DQ2
= 350 毫安, p
输出
= 0.4 watts avg., f = 2140 mhz, 频道
带宽 = 3.84 mhz, 顶峰/avg. = 8.5 db @ 0.01% probability 在 ccdf.
电源 增益 — 31.5 db
acpr @ 5 mhz =-53.5 dbc @ 3.84 mhz 带宽
•
有能力 的 处理 3:1 vswr, @ 28 vdc, 2170 mhz, 5 watts cw
输出 电源
•
典型 和 序列 相等的 大-信号 阻抗 参数
•
在-碎片 相一致 (50 ohm 输入, 直流 blocked, >5 ohm output)
•
整体的 温度 补偿 和 使能/使不能运转 函数
•
在-碎片 电流 mirror g
m
涉及 场效应晶体管 为 自 偏置 应用 (1)
•
整体的 静电释放 保护
•
也 有 在 gull wing 为 表面 挂载
•
在 录音带 和 卷轴. r1 后缀 = 500 单位 每 44 mm, 13 inch 卷轴
函数的 块 图解
管脚 连接
(顶 视图)
地
V
DS1
RF
在
V
GS1
地
V
DS2
V
ds3/
RF
输出
地
V
GS2
V
GS3
地
安静的 电流
温度 补偿
3 stages i
C
V
GS1
RF
在
V
DS2
V
DS1
V
GS2
V
GS3
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
9
10
11
V
DS3
/rf
输出
1
便条: exposed backside 标记 是 源
终端 为 晶体管.
V
RD1
V
RG1
V
RD1
V
RG1
(1) 谈及 至 an1987/d,
安静的 电流 控制 为 这 rf整体的 电路 设备 家族.
go 至 http://www.motorola.com/半导体/rf.
选择 必备资料/应用 注释-an1987.
顺序 这个 文档
用 mw4ic2230/d
MOTOROLA
半导体 技术的 数据
2110-2170 mhz, 30 w, 28 v
单独的 w-CDMA
rf ldmos wideband
整体的 电源 放大器
情况 1329-09
至-272 wb-16
塑料
MW4IC2230MBR1
MW4IC2230MBR1
MW4IC2230GMBR1
情况 1329a-03
至-272 wb-16 gull
塑料
MW4IC2230GMBR1
motorola, 公司 2004
rev 2
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一个
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freescale 半导体, 公司
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go 至: www.freescale.com
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