FETKY
场效应晶体管 &放大; 肖特基 二极管
3/22/00
IRF7534D1
绝对 最大 比率
www.irf.com 1
热的 阻抗
参数最大值 单位
R
θ
JA
最大 接合面-至-包围的
100 °c/w
参数 最大值 单位
V
DS
流-源 电压 -20 V
I
D
@ t
一个
= 25°c 持续的 流 电流, v
GS
@ -4.5v -4.3
I
D
@ t
一个
= 70°c 持续的 流 电流, v
GS
@ -4.5v -3.4 一个
I
DM
搏动 流 电流
-34
P
D
@T
一个
= 25°c 最大 电源 消耗
1.25 W
P
D
@T
一个
= 70°c 最大 电源 消耗
0.8 W
直线的 减额 因素 10 mw/°c
V
GS
门-至-源 电压 ± 12V
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt
1.1 v/ns
T
J
, t
STG
接合面 和 存储 温度 范围 -55 至 + 150 °C
V
DSS
= -20v
R
ds(在)
= 0.055
Ω
肖特基 vf=0.39v
Micro8
●
co-packaged hexfet
®
电源
场效应晶体管 和 肖特基 二极管
●
过激 低 在-阻抗
场效应晶体管
●
trench 技术
●
Micro8
TM
Footprint
●
有 在 录音带 &放大; 卷轴
描述
pd -93864
这 fetky 家族 的 co-packaged mosfets 和 肖特基 二极管 提供 这 设计者
一个 革新的, 板 空间 节省 解决方案 为 切换 调整器 和 电源
管理 产品. 国际的 整流器 运用 先进的 处理
技巧 至 达到 极其 低 在-阻抗 每 硅 范围. 结合 这个
技术 和 国际的 整流器’s 低 向前 漏出 肖特基 整流器 结果 在
一个 极其 效率高的 设备 合适的 为 使用 在 一个 宽 多样性 的 可携带的 electronics
产品, 此类 作 cell phones, pdas, 等
这 micro8
TM
包装 制造 一个 完美的 设备 为 产品 在哪里 打印 电路
板 空间 是 在 一个 premium. 这 低 profile (<1.1mm) 的 这 micro8
TM
将 准许 它 至
合适 容易地 在 极其 薄的 应用 环境 此类 作 可携带的 electronics
顶 视图
8
1
2
3
4
5
6
7
一个
一个
S
G
D
D
K
K
注释:
repetitive 比率 – 脉冲波 宽度 限制 用 最大值 接合面 温度 (看 图. 9)
I
SD
≤
-1.2a, di/dt
≤
100a/µs, v
DD
≤
V
(br)dss
, t
J
≤
150°C
脉冲波 宽度
≤
300µs – 职责 循环
≤
2%
当 挂载 在 1 inch 正方形的 铜 板 至 近似的 典型 multi-layer pcb 热的 阻抗