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这 xp161a1355pr 是 一个 n-频道 电源 mos 场效应晶体管 和 低 在-状态
阻抗 和 过激 高-速 切换 特性.
因为 高-速 切换 是 可能, 这 IC 能 是 efficiently 设置
因此 节省 活力.
一个 门 保护 二极管 是 建造-在 至 阻止 静态的 损坏.
这 小 sot-89 包装 制造 高 密度 挂载 可能.
低 在-状态 阻抗
: rds (在) = 0.05
Ω
( vgs = 4.5v )
: rds (在) = 0.07
Ω
( vgs = 2.5v )
: rds (在) = 0.15
Ω
( vgs = 1.5v )
过激 高-速 切换
门 保护 二极管 建造-在
运算的 电压
: 1.5v
高 密度 挂载
: sot-89
●
notebook pcs
●
cellular 和 可携带的 phones
●
在-板 电源 供应
●
li-ion 电池 系统
◆
n-频道 电源 mos 场效应晶体管
◆
dmos 结构
◆
低 在-状态 阻抗 : 0.05
Ω
(最大值)
◆
过激 高-速 切换
◆
sot-89 包装
◆
门 保护 二极管 建造-在
管脚
号码
管脚
名字
函数
1
3
2
G
S
D
门
源
流
Ta=25
O
C
标识 比率 单位
Vdss 20 V
Vgss 8 V
Id 4 一个
Idp 16 一个
Idr 4 一个
Pd 2 W
Tch 150
O
C
Tstg - 55 ~ 150
O
C
( 便条 ) : 当 执行 在 一个 陶瓷的 pcb
存储 温度
反转 流 电流
持续的 频道
电源 消耗 (便条)
频道 温度
流 - 源 电压
门 - 源 电压
流 电流 (直流)
流 电流 (脉冲波)
参数
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