cmos sramk6t1008c2e 家族
修订 3.0
march 2000
1
文档 标题
128kx8 位 低 电源 cmos 静态的 内存
修订 history
修订 非.
0.0
1.0
1.01
2.0
3.0
Remark
初步的
最终
最终
最终
History
设计 目标
Finalize
- 改进 tWP表格 55ns 至 50ns 为 70ns 产品.
- 除去 55ns 速 bin 从 工业的 产品.
errata 纠正
修订
修订
- 增加 55ns 部分 至 工业的 产品.
draft 数据
october 12, 1998
8月 30, 1999
12月 1, 1999
二月 14, 2000
march 3, 2000
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产品. samsung electronics 将 answer 至 your questions. 如果 你 有 任何 questions, 请 联系 这 samsung branch 办公室s.