飞利浦 半导体 产品 规格
Thyristors bt148s-600z
逻辑 水平的
bt148m-600z
一般 描述 快 涉及 数据
Glass 钝化的, 敏感的 门 thyristor 在
标识 参数 最大值 单位
一个 塑料 封套, 合适的 为 表面
挂载, 将 为 使用 在 一般
BT148S
(或者 bt148m)
- 600Z
目的 切换 和 阶段 控制 V
DRM
, repetitive 顶峰 止-状态 600 V
产品. 这些 设备 特性 一个 V
RRM
电压
门-cathode 反转 损坏 电压 I
t(av)
平均 在-状态 电流 2.5 一个
规格. 它们 能 是 连接 I
t(rms)
rms 在-状态 电流 4 一个
直接地 至 微控制器, 逻辑 整体的 I
TSM
非-repetitive 顶峰 在-状态 35 一个
电路 和 其它 低 电源 门 触发 电流
电路.
固定 - sot428 管脚 配置 标识
管脚 标准 Alternative
号码 S M
1 cathode 门
2 anode anode
3 门 cathode
tab anode anode
限制的 值
限制的 值 在 一致 和 这 绝对 最大 系统 (iec 134).
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
DRM
, v
RRM
repetitive 顶峰 止-状态 电压 - 600
1
V
I
t(av)
平均 在-状态 电流 half sine 波; t
mb
≤
111 ˚c - 2.5 一个
I
t(rms)
rms 在-状态 电流 所有 传导 angles - 4 一个
I
TSM
非-repetitive 顶峰 在-状态 half sine 波; t
j
= 25 ˚c 较早的 至 surge
电流 t = 10 ms - 35 一个
t = 8.3 ms - 38 一个
I
2
德州仪器
2
t 为 fusing t = 10 ms - 6.1 一个
2
s
dI
T
/dt repetitive 比率 的 上升 的 在-状态 I
TM
= 10 一个; i
G
= 50 毫安; - 50 一个/
µ
s
电流 之后 triggering dI
G
/dt = 50 毫安/
µ
s
I
GM
顶峰 门 电流 - 2 一个
P
GM
顶峰 门 电源 - 5 W
P
g(av)
平均 门 电源 在 任何 20 ms 时期 - 0.5 W
T
stg
存储 温度 -40 150 ˚C
T
j
运行 接合面 温度 - 125
2
˚C
1
2
3
tab
ak
g
1
虽然 不 推荐, 止-状态 电压 向上 至 800v 将 是 应用 没有 损坏, 但是 这 thyristor 将
转变 至 这 在-状态. 这 比率 的 上升 的 电流 应当 不 超过 15 一个/
µ
s.
2
便条: 运作 在之上 110˚c 将 需要 这 使用 的 一个 门 至 cathode 电阻 的 1k
Ω
或者 较少.
九月 1997 1 rev 1.100
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