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资料编号:285728
 
资料名称:EA20QS10-F
 
文件大小: 54.67K
   
说明
 
介绍:
Schottky Barrier Diode
 
 


: 点此下载
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
外形 绘画
最大 比率
approx 网 重量:0.30g
比率
标识 ea20qs10-f 单位
repetitive 顶峰 反转 电压 V
RRM
100 v
p.c.板
挂载 *
1.7
Ta=28
°
C
平均 调整的
输出 电流
-
I
O
1.7
Tc=138
°
C
50hz half sine 波
一个
rms 向前 电流 I
f(rms)
2.67 一个
surge 向前 电流 I
FSM
40
50hz half sine 波,1cycle,
非-repetitive
一个
运行 junctiontemperature 范围
Tjw - 40 至 + 150
°
C
存储 温度 范围
Tstg - 40 至 + 150
°
C
电的
热的 特性
特性 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
顶峰 反转 电流 I
RM
Tj=25
°
c,v
RM
=V
RRM
- - 1.0 毫安
顶峰 向前 电压 V
FM
Tj=25
°
c,i
FM
= 2 一个
- - 0.85 v
接合面 至 包围的 rth(j-一个) p.c.板 挂载 * - - 80
°
c/w
热的
阻抗
接合面 至 情况 rth(j-c) - - - 7
°
c/w
* 打印 地带 = 20x20 mm
SBD
类型 :
EA2
EA2EA2
EA20QS10
0QS100QS10
0qs10-
--
-f
FF
F
特性
* 至-252aa 情况, 表面 挂载 设备
* 低 向前 电压 漏出
* 低 电源 丧失
* 高 surge 能力
* 40 伏特 thru 100 伏特 类型 有
* packaged 在 16mm 录音带 和 卷轴
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