M48Z58
M48Z58Y
64 kbit (8kb x 8) zeropower
®
SRAM
march 1999 1/17
整体的 过激 低 电源 sram,
电源-失败 控制 电路 和
电池
读 循环 时间 相等 写 循环
时间
自动 电源-失败 碎片 deselect 和
写 保护
写 保护 电压
(v
PFD
= 电源-失败 deselect 电压):
– m48z58: 4.50v
≤
V
PFD
≤
4.75v
– m48z58y: 4.20v
≤
V
PFD
≤
4.50v
自-包含 电池 在 这 caphat
插件 包装
包装 包含 一个 28-含铅的 soic
和 snaphat
®
顶
(至 是 ordered separately)
soic 包装 提供 直接
连接 为 一个 snaphat 顶 这个
包含 这 电池 和 结晶
管脚 和 函数 兼容 和
电子元件工业联合会 标准 8k x 8 srams
描述
这 m48z58/58y zeropower
®
内存 是 一个 8k x
8 非-易变的 静态的 内存 那 integrates 电源-失败
deselect 电路系统 和 电池 控制 逻辑 在 一个
单独的 消逝. 这 大而单一的 碎片 是 有 在 二
特定的 包装 至 提供 一个 高级地 整体的
电池 backed-向上 记忆 解决方案.
AI01176B
13
a0-a12
W
dq0-dq7
V
CC
M48Z58
M48Z58Y
G
V
SS
8
E
图示 1. 逻辑 图解
a0-a12 地址 输入
dq0-dq7 数据 输入 / 输出
E 碎片 使能
G 输出 使能
W 写 使能
V
CC
供应 电压
V
SS
地面
表格 1. 信号 names
28
1
pcdip28 (pc)
电池 caphat
snaphat (sh)
电池
28
1
soh28 (mh)