3. v
F
= 3.5v 为 设备 的 v(
BR
) < 200v 和 v
F
= 5.0 伏特 最大值.为 设备 的 v(
BR
) > 200v.
RECTRON
半导体
技术的 规格
特性
* 塑料 包装 有 underwriters laboratory
* glass 钝化的 碎片 构建
* 1500 watt surage 能力 在 1ms
* 极好的 夹紧 能力
* 低 齐纳 阻抗
* 快 回馈 时间
最大 比率 和 电的 特性
比率 在 25
o
c 包围的 温度 除非 否则 指定.
单独的 阶段, half 波, 60 hz, resistive 或者 inductive 加载,
为 电容的 加载, 减额 电流 用 20%.
TVS
1.5ke
序列
1.5ke
1500 watt 顶峰 电源 5.0 watt 稳步的 状态
gpp 瞬时 电压 suppressor
维度 在 英寸 和 (毫米)
最大 raTINGS
(在 t
一个
= 25
o
c 除非 否则 指出)
设备 为 双极 产品
为 双向的 使用 c 或者 ca 后缀 为 类型 1.5ke 6.8 thru 1.5ke 400
电的 特性 应用 在 两个都 方向
1998-8
比率 在 25
o
c 包围的 温度 除非 否则 指定.
注释 :
2. 挂载 在 铜 垫子 范围 的 0.8x0.8” ( 20x20mm ) 每 图.5.
1. 非-repetitive 电流 脉冲波, 每 图.3 和 derated 在之上 t
一个
= 25
o
c 每 图.2.
比率
稳步的 状态 电源 消耗 在 t
L
= 75
o
c 含铅的 长度,
.375” ( 9.5 mm ) ( 便条 2 )
顶峰 向前 surge 电流, 8.3ms 单独的 half sine 波-
superimposed 在 评估 加载( 电子元件工业联合会 方法 ) unidirectional 仅有的
最大 instantaneous 向前 电流 在 50.0a 为
标识
I
FSM
V
F
T
J
, t
STG
伏特
-55 至 + 175
0
C
单位
unidirectional 仅有的 ( 便条 3 )
放大器
顶峰 电源 消耗 在 t
一个
= 25
o
C
, t
P
= 1ms ( 便条 1 )
最小 1500
200
3.5/5.0
值
运行 和 存储 温度 范围
P
PPM
Watts
P
m(av)
Watts5.0
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