rev.1.00, 三月.12.2004, 页 1 的 12
r1rp0408d 序列
4m 高 速 sram (512-kword
×
8-位)
rej03c0112-0100z
rev. 1.00
三月.12.2004
描述
这 r1rp0408d 序列 是 一个 4-mbit 高 速 静态的 内存 有组织的 512-k 文字
×
8-位. 它 有 认识到
高 速 进入 时间 用 employing cmos 处理 (6-晶体管 记忆 cell) 和 高 速 电路
designing 技术. 它 是 大多数 适合的 为 这 应用 这个 需要 高 速, 高 密度
记忆 和 宽 位 宽度 配置, 此类 作 cache 和 缓存区 记忆 在 系统. 它 是 packaged 在
400-mil 36-管脚 塑料 soj.
特性
•
单独的 5.0 v 供应: 5.0 v
±
10%
•
进入 时间: 12 ns (最大值)
•
完全地 静态的 记忆
非 时钟 或者 定时 strobe 必需的
•
equal 进入 和 循环 时间
•
直接地 ttl 兼容
所有 输入 和 输出
•
运行 电流: 130 毫安 (最大值)
•
ttl 备用物品 电流: 40 毫安 (最大值)
•
cmos 备用物品 电流 : 5 毫安 (最大值)
: 1.0 毫安 (最大值) (l-版本)
•
数据 保持 电流: 0.5 毫安 (最大值) (l-version)
•
数据 保持 电压: 2 v (最小值) (l-版本)
•
中心 v
CC
和 v
SS
类型 管脚 输出
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