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提醒: 这些 设备 是 敏感的 至 electrostatic 释放; follow 恰当的 ic 处理 程序.
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isl6612a, isl6613a
先进的 同步的 调整的 buck
场效应晶体管 驱动器 with 前-por ovp
这 isl6612a 和 isl6613a 是 高 频率 场效应晶体管
驱动器 specifically 设计至 驱动 upper 和 更小的 电源
n-频道 mosfets 在 一个 同步的 调整的 buck
转换器 topology. 这些 驱动器 联合的 和 hip63xx 或者
isl65xx multi-阶段 buck pwm 控制者 和 n-频道
mosfets 表格 完全 核心-voltage 调整器 解决方案 为
先进的 微处理器.
这 isl6612a 驱动 这 upper 门 至 12v, 当 这 更小的
门 能 是 independently 驱动在 一个 范围 从 5v 至
12v. 这 isl6613a 驱动 两个都 upper 和 更小的 门 在
一个 范围 的 5v 至 12v. 这个 驱动-电压 提供 这
flexibility 需要 至 优化 产品 involving trade-
offs 在 门 承担 和 传导 losses.
一个 先进的 adaptive 零 shoot-通过 protection 是
整体的 至 阻止 两个都 这 upper 和 更小的 mosfets
从 组织 同时发生地 和 至 降低 这 dead
时间. 这些 产品 增加 一个超(电)压 保护 特性
运算的 在之前 vcc 超过 它的 转变-在 门槛, 在
这个 这 阶段 node 是 连接 至 这 门 的 这 低
一侧 场效应晶体管 (lgate). 这 output 电压 的 这 转换器
是 然后 限制 用 这 thres支撑 的 这 低 一侧 场效应晶体管,
这个 提供 一些 保护至 这 微处理器 如果 这
upper 场效应晶体管(s) 是 短接 在 最初的 startup.
这些 驱动器 也 特性 一个 三-状态 pwm 输入 这个,
working 一起 和 intersil’smulti-阶段 pwm 控制者,
阻止 一个 负的 瞬时 在这 输出 电压 当 这
输出 是 shut 向下. 这个 feature 排除 这 肖特基
二极管 那 是 使用 在 一些 系统 为 protecting 这 加载
从 使反转 输出 电压 events.
特性
• 管脚-至-管脚 兼容 和 hip6601 soic 家族
• 双 场效应晶体管 驱动 为 synchronous 调整的 桥
• 先进的 adaptive 零 shoot-通过 保护
- 身体 二极管 发现
- 自动-零 的 r
ds(在)
传导 补偿 效应
• 可调整的 门 电压 (5v 至 12v) 为 最优的 效率
• 36v 内部的 自举 肖特基 二极管
• 自举 电容 overcharging prevention
• 支持 高 切换 频率 (向上 至 2mhz)
- 3a sinking 电流 能力
- 快 上升/下降 时间 和 低 传播 延迟
• 三-状态 pwm 输入 为 输出 平台 关闭
• 三-状态 pwm 输入 hysteres是 为 产品 和
电源 sequencing 必要条件
• 前-por 超(电)压 保护
• vcc 欠压 保护
• expandable bottom 铜 垫子 为 增强 热温
Sinking
• 双 flat 非-含铅的 (dfn) 包装
- near 碎片-规模 包装 footprint; 改进 pcb
效率 和 thinner 在 profile
• 铅-自由 加 退火 有 (rohs 一致的)
产品
• 核心 regulators 为 intel® 和 amd® 微处理器
• 高 电流 直流-直流 转换器
• 高 频率 和 高 效率 vrm 和 vrd
related literature
• 技术的 brief tb363 “guidelines 为 处理 和
处理 潮气 sensitive 表面 挂载 设备
(smds)”
• 技术的 briefs tb400 和 tb417 为 电源 train
设计, 布局 指导原则, 和 反馈 补偿
设计
数据 薄板 july 25, 2005