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资料编号:965246
 
资料名称:ADM1073ARU
 
文件大小: 305K
   
说明
 
介绍:
Full-Feature −48 V Hot Swap Controller
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
全部-特性 −48 v hot swap 控制
ADM1073
rev.
0
信息 陈设 用 相似物 设备 是相信 至 是 精确 和 可依靠的.
不管怎样, 非 责任 是 assumed 用 相似物 设备 为 它的 使用, 也不 为 任何
infringements 的 专利权 或者 其它 权利 的第三 部 那 将 结果 从 它的 使用.
规格 主题 至 改变 没有 注意. 非 执照 是 准予 用 牵涉
或者 否则 下面 任何 专利权 或者 专利权 rights 的 相似物 设备. 商标 和
一个 技术 方法, p.o. 盒 9106,norwood, 毫安 02062-9106, 美国
电话: 781.329.4700
www.相似物.com
传真: 781.326.8703 © 2004 相似物 设备, 公司 所有 权利 保留.
特性
精确 inrush 直线的 电流 限制
软 开始 inrush 电流 限制 profiling
精确 最大 在-时间 在 电流 限制
最大 在-时间 modulated 用 场效应晶体管 流 电压 为
额外的 soa 保护
可调整的 pwm retry scheme 和 多样的 设备 cascading
能力 为 charging 大 电容的 负载
限制 号码 的 pwm 循环 为 场效应晶体管 soa 保护 下面
短的 电路 情况
能力 至 配置 设备 作 持续的 autoretry 和 一个
5-第二 冷却 时期
调往 调整器 topology 至 一个llow 非常 大 瞬时 输入
供应
独立的 uv 和 ov 管脚 为 程序编制 容许的 输入
供应 window
可编程序的 ov hysteresis 使用 电流 源 在 管脚
当 供应 是 高
可编程序的 uv hysteresis 使用 电流 下沉 从 管脚
当 供应 是 低
PWRGD
输出 indicates 当 电容 charging 完全
SPLYGD
输出 indicates 当 供应 是 在里面
有效的 window
LATCHED
输出 indicates 这 终止 的 这 retry 循环 在之前
加载 电容 是 charged
SHDN
输入 为 用户-commanded 关闭
重新开始
输入 为 用户-triggered 5-第二 关闭 和
autorestart— 模拟的 card reseat
函数的 块 图解
04488-prg-001
故障 计时器
和 控制
振荡器
PWM
TIMEOUT
FOLDBACK
和 pwrgd
5 第二
关闭
t
控制
软 开始
控制
欠压
探测器
超(电)压
探测器
V
CC
涉及
发生器
LATCHEDRESTART
SPLYGDV
OV
UV
SS
计时器
SHDN
V
EE
SENSE
PWRGD
100mv(最大值)
50
µ
一个
V
图示 1.
产品
central 办公室 切换
telecommunication 和 数据 交流 设备
−48 v distributed 电源 系统
负的 电源 供应 控制
高 有效性 servers
−48 v 电源 供应 modules
disk arrays
一般 描述
这 adm1073 是 一个 全部-特性, 负的 电压, hot swap
控制 那 准许 boards 至 是 safely inserted 和 移除
从 一个 live −48 v backplane. 这 部分 提供 准确的 和
强健的 电流 限制的, 和 保护 相反 两个都 瞬时
和 nontransient 短的 电路 在 超(电)压 和 欠压
情况. 这 adm1073 能 运作 从 一个 负的 电压
的 −18 v 至 −80 v 和 能 tolerate 瞬时 电压 的向上 至
−200 v.
inrush 电流 是 限制 至 一个 可编程序的 值 用 控制-
ling 这 门 驱动 的 一个 外部 n-频道 场效应晶体管. 这 最大
电流 限制 是 设置 用 这 选择 的 这 sense 电阻, r
SENSE
.
一个 建造-在 软 开始 函数 准许 控制 的 这 inrush
电流 profile 用 一个 外部 电容 在 这 软 开始 (ss)
管脚.
一个 外部 电容 在 这 计时器 管脚 确定 这 时间
为 这个 这 场效应晶体管 门 是 controlled 至 是 高 当 最大
inrush 电流 flows. 这 adm1073 雇用 一个 限制 consec-
utive retry scheme, 凭此, 如果 这 加载 电容 是 不 全部地
charged 在里面 一个 attempt, 这 场效应晶体管 门 是 牵引的 低 和
retries 之后 一个 冷却 时期.
(持续 在 页 3)
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