参数 最大值 单位
V
CES
集电级-至-发射级 损坏 电压 600 V
I
C
@ t
C
= 25°c 持续的 集电级 电流 11.8
I
C
@ t
C
= 100°c 持续的 集电级 电流 6.2 一个
I
CM
搏动 集电级 电流
52
I
LM
clamped inductive 加载 电流
52
V
GE
门-至-发射级 电压 ± 20 V
E
ARV
反转 电压 avalanche 活力
200 mJ
P
D
@ t
C
= 25°c 最大电源消耗 34
P
D
@ t
C
= 100°c 最大电源消耗 14
T
J
运行接合面和 -55 至 + 150
T
STG
存储 温度 范围
焊接 温度, 为 10 秒 300 (0.063 在. (1.6mm) 从 情况 )
°C
挂载 torque, 6-32 或者 m3 screw. 10 lbf•in (1.1n•m)
IRG4IBC20W
insulated 门 双极 晶体管
pd 91785a
E
C
G
n-频道
特性
•
设计 expressly 为 转变-模式 电源
供应 和 pfc (电源 因素 纠正)
产品
•
2.5kv, 60s 绝缘 电压
•
工业-benchmark 切换 losses 改进
效率 的 所有 电源 供应 topologies
•
50% 减少 的 eoff 参数
•
低 igbt 传导 losses
•
最新的-一代 igbt 设计 和 构建 提供
tighter 参数 分发, exceptional 可靠性
•
工业 标准 分开的 至-220 fullpak
TM
外形
•
更小的 切换 losses 准许 更多 费用-有效的
运作 比 电源 mosfets 向上 至 150 khz
("hard 切换" 模式)
•
的 particular 益处 至 单独的-结束 转换器 和
boost pfc topologies 150w 和 高等级的
•
低 传导 losses 和 minimal minority-运输车
recombination 制造 这些 一个 极好的 选项 为
resonant 模式 切换 作 好 (向上 至 >>300 khz)
益处
V
CES
= 600v
V
ce(在) 典型值
=
2.16v
@V
GE
= 15v, i
C
= 6.5a
绝对 最大 比率
W
12/30/00
至-220 fullpak
参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
接合面-至-情况 - igbt
–––
3.7
R
θ
JA
接合面-至-包围的, 典型 插座 挂载
–––
65
°
c/w
Wt 重量 2.0 (0.07)
–––
g (oz)
热的 阻抗
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