gf1a-gf1m
gf1a-gf1m, rev. e
gf1a - gf1m
1.0 ampere glass 钝化的 整流器
绝对 最大 ratings*
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
*
这些 比率 是 限制的 值 在之上 这个 这 serviceability 的 任何 半导体 设备 将 是 impaired.
**
设备 挂载 在 pcb 和 0.2 x 0.2" (5.0 x 5.0 mm) 铜 垫子 areas.
电的 特性
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
1998 仙童 半导体 国际的
特性
•
低 向前 电压 漏出.
•
高 电流 能力.
•
容易 挑选 和 放置.
•
高 surge 电流 能力.
标识 参数 值 单位
I
O
平均 调整的 电流
@ t
L
= 125
°
C
1.0 一个
i
f(surge)
顶峰 向前 surge 电流
8.3 ms 单独的 half-sine-波
superimposed 在 评估 加载 (电子元件工业联合会 方法)
30 一个
P
D
总的 设备 消耗
减额 在之上 25
°
C
2.0
13
W
mw/
°
C
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面 至 包围的 ** 80
°
c/w
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面 至 情况 ** 26
°
c/w
T
stg
存储 温度 范围 -65 至 +175
°
C
T
J
运行 接合面 温度 -65 至 +175
°
C
参数 设备 单位
1A 1B 1D 1G 1J 1K 1M
顶峰 repetitive 反转 电压 50 100 200 400 600 800 1000 V
最大 rms 电压 35 70 140 280 420 560 800 V
直流 反转 电压 (评估 v
R
)
50 100 200 400 600 800 1000 V
最大 反转 电流
@ 评估 v
R
T
一个
= 25
°
C
T
一个
= 125
°
C
5.0
50
µ
一个
µ
一个
最大 向前 电压 @ 1.0 一个 1.0 1.2 V
最大 反转 恢复 时间
I
F
= 0.5 一个, i
R
= 1.0 一个, i
rr
= 0.25 一个
2.0
µ
S
典型 接合面 电容
V
R
= 4.0 v, f = 1.0 mhz
15 pF
sma/做-214ac
颜色 带宽
denotes cathode
2
1
0.208 (5.283)
0.188 (4.775)
0.181 (4.597)
0.157 (3.988)
0.096 (2.438)
0.078 (1.981)
0.062 (1.575)
0.055 (1.397)
0.008 (0.203)
0.002 (0.051)
0.012 (0.305)
0.006 (0.152)
0.060 (1.524)
0.030 (0.762)
0.114 (2.896)
0.098 (2.489)
+
3.93
3.73
1.67
1.47
2.38
2.18
5.49
5.29
最小 推荐
地带 模式