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资料编号:408093
 
资料名称:IRLBA3803
 
文件大小: 120.61K
   
说明
 
介绍:
HEXFET Power MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRLBA3803
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
逻辑-水平的 门 驱动
先进的 处理 技术
175°c 运行 温度
快 切换
全部地 avalanche 评估
购买 irlba3803/p 为 焊盘 镀有 选项.
fifth 一代 hexfets 从 国际的 整流器 utilize 先进的 处理
技巧 至 达到 极其 低 在-阻抗 每 硅 范围. 这个 益处,
电源 mosfets 是 好 知道 为, 提供 这 设计者 和 一个 极其
效率高的 和 可依靠的 设备 为 使用 在 一个 宽 多样性 的 产品.
这 超级的-220 是 一个 包装 那 有 被 设计 至 有 这 一样 机械的
外形 和 引脚 作 这 工业 标准 至-220 但是 能 house 一个 非常
大 硅 消逝. 它 有 增加 电流 处理 能力 在 两个都 这 至-220
和 这 更 大 至-247 包装. 这个 制造 它 完美的 至 减少 组件
计数 在 multiparalled 至-220 产品, 减少 系统 电源 消耗,
upgrade 存在 设计 或者 有 至-247 效能 在 一个 至-220 外形.
这个 包装 有 也 被 设计 至 满足 automotive 资格 标准
q101.
描述
V
DSS
= 30v
R
ds(在)
= 0.005
I
D
= 179a
S
D
G
05/20/02
www.irf.com 1
绝对 最大 比率
参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
接合面-至-情况 ––– 0.55
R
θ
CS
情况-至-下沉, flat, greased 表面 0.5 ––– °c/w
R
θ
JA
接合面-至-包围的 ––– 58
热的 阻抗
超级的
-
220
参数 最大值 单位
I
D
@ t
C
= 25°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 179
I
D
@ t
C
= 100°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 126
一个
I
DM
搏动 流 电流
720
P
D
@T
C
= 25°c 电源消耗 270 W
直线的 减额 因素 1.8 w/°c
V
GS
门-至-源 电压 ±16 V
E
单独的 脉冲波 avalanche 活力

610 mJ
I
AR
avalanche 电流

71 一个
E
AR
repetitive avalanche 活力
27 mJ
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt

5.0 v/ns
T
J
运行接合面 -55 至 + 175
T
STG
存储 温度 范围
焊接 温度, 为 10 秒 300 (1.6mm 从 情况 )
推荐 clip 强迫 20 N
°C
pd - 91841c
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