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资料编号:160546
资料名称:
BAS33
文件大小: 35.46K
说明
:
介绍
:
Silicon Planar Diodes
: 点此下载
1
2
3
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
bas33.bas34
vishay telefunken
rev. 2, 01-apr-99
1 (3)
www.vishay.de
•
faxback +1-408-970-5600
文档 号码 85541
硅 planar 二极管
特性
D
非常 低 反转 电流
产品
保护 电路, 时间 延迟 电路, 顶峰 追随着
电路, logarithmic 放大器
94 9367
绝对 最大 比率
T
j
= 25
_
C
参数
测试 情况
类型
标识
值
单位
反转 电压
BAS33
V
R
30
Vg
BAS34
V
R
60
V
顶峰 向前 surge 电流
t
p
=1
m
s
I
FSM
2
一个
向前 电流
I
F
200
毫安
接合面 温度
T
j
200
°
C
存储 温度 范围
T
stg
–65...+200
°
C
最大 热的 阻抗
T
j
= 25
_
C
参数
测试 情况
标识
值
单位
接合面 包围的
l=4mm, t
L
=constant
R
thJA
350
k/w
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