technische 信息 / 技术的 信息
igbt-单元
igbt-modules
bsm15gd120dlc e3224
höchstzulässige werte / 最大 评估 值
elektrische eigenschaften / 电的 properties
kollektor-发射级-sperrspannung
集电级-发射级 电压
V
CES
1200V
kollektor-dauergleichstrom
T
C
= 80 °cI
c,nom.
15一个
直流-集电级 电流
T
C
= 25 °cI
C
35一个
periodischer kollektor spitzenstrom
repetitive 顶峰 集电级 电流
t
P
= 1 ms, t
C
= 80°cI
CRM
30一个
gesamt-verlustleistung
总的 电源 消耗
T
C
=25°c, 晶体管P
tot
145W
门-发射级-spitzenspannung
门-发射级 顶峰 电压
V
GES
+/- 20vV
Dauergleichstrom
直流 向前 电流
I
F
15一个
periodischer spitzenstrom
repetitive 顶峰 forw. 电流
t
P
= 1 msI
FRM
30一个
grenzlastintegral der 二极管
I
2
t - 值, 二极管
V
R
= 0v, t
p
= 10ms, t
Vj
= 125°c
I
2
t
93
一个
2
s
isolations-prüfspannung
绝缘 测试 电压
rms, f = 50 hz, t = 1 最小值
V
ISOL
2,5kV
charakteristische werte / 典型的 值
晶体管 / 晶体管
最小值典型值最大值
kollektor-发射级 sättigungsspannung
I
C
= 15a, v
GE
= 15v, t
vj
= 25°C V
ce sat
-2,12,6V
集电级-发射级 饱和 电压
I
C
= 15a, v
GE
= 15v, t
vj
= 125°C
-2,42,9V
门-schwellenspannung
门 门槛 电压
I
C
= 0,6ma, v
CE
= v
GE
, t
vj
= 25°cV
ge(th)
4,55,56,5V
Gateladung
门 承担
V
GE
= -15v...+15vQ
G
-0,16-
µ
C
Eingangskapazität
输入 电容
f = 1mhz,t
vj
= 25°c,v
CE
= 25v, v
GE
= 0vC
ies
-1-nF
Rückwirkungskapazität
反转 转移 电容
f = 1mhz,t
vj
= 25°c,v
CE
= 25v, v
GE
= 0vC
res
-0,07-nF
kollektor-发射级 reststrom
V
CE
= 1200v, v
GE
= 0v, t
vj
= 25°C I
CES
-276
µ
一个
集电级-发射级 截-止 电流
V
CE
= 1200v, v
GE
= 0v, t
vj
= 125°C
-200-
µ
一个
门-发射级 reststrom
门-发射级 泄漏 电流
V
CE
= 0v, v
GE
= 20v, t
vj
= 25°C I
GES
--400nA
准备好 用: mark münzer日期 的 发行: 09.09.1999
批准 用: m. hierholzer修订: 2
1(8)
seriendatenblatt_bsm15gd120dlc-e3224.xls
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