半导体 组件 industries, llc, 2001
将, 2001 – rev. 1
1
发行 顺序 号码:
1n5333b/d
这个 是 一个完全 序列 的 5 watt 齐纳 二极管 和 tight 限制 和
更好的 运行 特性 那 反映 这 更好的 能力 的
silicon–oxide 钝化的 汇合处. 所有 这个 在 一个 axial–lead,
transfer–molded 塑料 包装 那 提供 保护 在 所有 一般
自然环境的 情况.
规格 特性:
•
齐纳 电压 范围 – 3.3 v 至 200 v
•
静电释放 比率 的 类 3 (>16 kv) 每 人 身体 模型
•
surge 比率 的 向上 至 180 w @ 8.3 ms
•
最大 限制 有保证的 在 向上 至 六 电的 参数
机械的 特性:
情况:
void 自由, transfer–molded, thermosetting 塑料
完成:
所有 外部 surfaces 是 corrosion resistant 和 leads 是
readily solderable
最大 含铅的 温度 为 焊接 目的:
230
°
c, 1/16
″
从 这 情况 为 10 秒
极性:
cathode 表明 用 极性 带宽
挂载 位置:
任何
最大 比率
比率 标识 值 单位
最大值 稳步的 状态 电源 消耗
@ t
L
= 75
°
c, 含铅的 长度 = 3/8
″
减额 在之上 75
°
C
P
D
5
40
W
mw/
°
C
运行 和 存储
温度 范围
T
J
, t
stg
–65 至
+200
°
C
设备 包装 Shipping
订货 信息
1N53xxB 轴的 含铅的 1000 单位/盒
1N53xxBRL 轴的 含铅的
轴的 含铅的
情况 17
塑料
http://onsemi.com
4000/录音带 &放大; 卷轴
Cathode Anode
L
1N
53xxB
YWW
L = 组装 location
1N53xxB = 设备 代号
=(看 表格 next 页)
Y = 年
WW = 工作 week
标记 图解
1N53xxBTA 轴的 含铅的 2000/ammo 包装
设备 列表 在
bold, italic
是 在 半导体
Preferred
设备.
Preferred
设备 是 推荐
choices 为 future 使用 和 最好的 整体的 值.
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