hi-sincerity
微电子学 corp.
规格. 非. : he6763-b
issued 日期 : 1994.11.09
修订 日期 : 1999.08.01
页 非. : 1/2
hsmc 产品 规格
HD45H11
pnp 外延的 planar 晶体管
描述
这 hd45h11 是 设计 为 各种各样的 明确的 和 一般 目的
产品, 此类 作:输出 和 驱动器 stages 的 放大器
运行 在 发生率 从 直流 至 更好 比 1mhz; 序列,
调往 和 切换 regulators; 低 和 高 频率
反相器/转换器; 和 许多 其他.
绝对 最大 比率
(ta=25
°
c)
•
最大 温度
存储 温度 ............................................................................................ -55 ~ +150
°
C
接合面 温度 ................................................................................... +150
°
c 最大
•
最大 电源 消耗
总的 电源 消耗 (tc=25
°
c) .................................................................................... 50 w
•
最大 电压 和 电流
bvcbo 集电级 至 根基 电压..................................................................................... -80 v
bvceo 集电级 至 发射级 电压.................................................................................. -80 v
bvebo 发射级 至 根基 电压.......................................................................................... -5 v
ic 集电级 电流 ........................................................................................................... -10 一个
ib 根基 电流 ................................................................................................................... -5 一个
特性
(ta=25
°
c)
标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
BVCBO -80 - - V ic=-100ma
BVCEO -80 - - V ic=-100ma
BVCES -80 - - V ic=-1ma
BVEBO -5 - - V ie=-1ma
ICBO - - -10 uA vcb=-80v
IEBO - - -100 uA veb=-5v
*vce(sat) - - -1 V ic=-8a, ib=-0.8a
*vbe(sat) - - -1.5 V ic=-8a, ib=-0.8a
*hFE1 100 - - ic=-250ma, vce=-1v
*hFE2 60 - - ic=-2a, vce=-1v
*hFE3 40 - - ic=-4a, vce=-1v
Cob - 230 - pF vcb=-10v
fT - 40 - MHz vce=-1v, ic=-500ma, f=100mhz
*pulse 测试 : 脉冲波 宽度
≤
380us, 职责 循环
≤
2%
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