IRL1004
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
pd - 91702b
S
D
G
参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
接合面-至-情况 ––– 0.75
R
θ
CS
情况-至-下沉, flat, greased 表面 0.50 ––– °c/w
R
q
JA
接合面-至-包围的 ––– 62
热的 阻抗
V
DSS
= 40v
R
ds(在)
= 0.0065
Ω
I
D
= 130a
逻辑-水平的 门 驱动
先进的 处理 技术
过激 低 在-阻抗
动态 dv/dt 比率
175°c 运行 温度
快 切换
全部地 avalanche 评估
fifth 一代 hexfet
®
电源 mosfets 从
国际的 整流器 utilize 先进的 处理 技巧
至 达到 这 最低 可能 在-阻抗 每 硅
范围. 这个 益处, 联合的 和 这 快 切换 速
和 加固 设备 设计 那 hexfet 电源 mosfets
是 好 知道 为, 提供 这 设计者 和 一个 极其
效率高的 和 可依靠的 设备 为 使用 在 一个 宽 多样性 的
产品.
这 至-220 包装 是 universally preferred 为 所有
商业的-工业的 产品 在 电源 消耗 水平
至 大概 50 watts. 这 低 热的 阻抗 和
低 包装 费用 的 这 至-220 contribute 至 它的 宽
acceptance 全部地 这 工业.
描述
11/29/99
参数 最大值 单位
I
D
@ t
C
= 25°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 130
I
D
@ t
C
= 100°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 92
一个
I
DM
搏动 流 电流
520
P
D
@T
C
= 25°c 电源消耗 200 W
直线的 减额 因素 1.3 w/°c
V
GS
门-至-源 电压 ± 16 V
E
作
单独的 脉冲波 avalanche 活力
700 mJ
I
AR
avalanche 电流
78 一个
E
AR
repetitive avalanche 活力
20 mJ
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt
5.0 v/ns
T
J
运行接合面和 -55 至 + 175
T
STG
存储 温度 范围
焊接 温度, 为 10 秒 300 (1.6mm 从 情况)
°C
挂载 torque, 6-32 或者 m3 srew 10lbf•in (1.1n•m)
绝对 最大 比率
www.irf.com 1
至-220ab
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