March1996
NDS8934
双 p-频道增强 模式 地方 效应 晶体管
一般 描述
特性
_________________________________________________________________________________
绝对 最大 比率
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
标识 参数 NDS8934 单位
V
DSS
流-源 电压 -20 V
V
GSS
门-源 电压 -8 V
I
D
流 电流 - 持续的 (便条 1a) -3.8 一个
- 搏动 -15
P
D
电源 消耗 为 双 运作 2 W
电源 消耗为 单独的 运作(便条 1a) 1.6
(便条 1b) 1
(便条 1c) 0.9
T
J
,t
STG
运行 和 存储 温度 范围 -55 至 150 °C
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的(便条 1a) 78 °c/w
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况(便条 1) 40 °c/w
nds8934.sam
这些P-频道 增强 模式 电源 地方 效应
晶体管 是 生产 使用 仙童's 专卖的,
高 cell 密度, dmos 技术. 这个 非常 高
密度 处理 是 特别 tailored 至 降低 在-状态
阻抗, 提供 更好的 切换 效能, 和
承受 高 活力 脉冲 在 这 avalanche 和
commutation 模式. 这些 设备 是 特别
suited 为 低 电压 产品 此类 作 notebook
计算机 电源 管理 和 其它 电池 powered
电路 在哪里 快 切换, 低 在-线条 电源 丧失, 和
阻抗 至 过往旅客 是 需要.
-3.8一个, -20v. r
ds(在)
= 0.07
Ω
@ v
GS
= -4.5v
R
ds(在)
= 0.1
Ω
@ v
GS
= -2.7v.
高 密度 cell 设计为 极其 低 r
ds(在)
.
高 电源 和 电流 处理 能力 在 一个 widely 使用
表面 挂载 包装.
双 场效应晶体管 在 表面 挂载 包装.
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