UNAPPROVED
不 为
分发
D
S
30142 rev. 1p-51的 2DMDT9922
DMDT9922
PNP 双, matched 一双 表面 挂载 晶体管
外延的 planar 消逝 构建
低 噪音
高 电流 增益
matched 一双 的 晶体管
典型的 标识 DMDT9922 单位
集电级-根基 电压
V
CBO
-50 V
集电级-发射级 电压
V
CEO
-40 V
发射级-根基 电压
V
EBO
-5.0 V
集电级-集电级 电压
V
CCO
-50 V
发射级-发射级 电压
V
EEO
-50 V
集电级 电流 - 持续的 (便条 1)
I
C
-100 毫安
电源 消耗 (便条 1)
P
d
200
mW
热的 阻抗, 接合面 至 包围的 (便条 1)
R
JA
625 k/w
运行 和 存储 和 温度 范围
T
j
,t
STG
-55 至 +125
C
特性
最大 比率
@ t
一个
= 25
c 除非 否则 指定
一个
M
J
L
FD
B
C
H
K
KXX
C
2
B
1
E
1
E
2
B
2
C
1
机械的 数据
情况: sot-363, 模塑的 塑料
terminals: solderable 每 mil-标准-202,
方法 208
终端 连接: 看 图解
标记: k3s
重量: .006 grams (approx.)
sot-363
Dim 最小值 最大值
一个
0.10 0.30
B
1.15 1.35
C
2.00 2.20
D
0.65 名义上的
F
0.30 0.40
H
1.80 2.20
J
0.10
K
0.90 1.00
L
0.25 0.40
M
0.10 0.25
所有 维度 在 mm
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