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记忆
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8 兆位 (256k x 32-有点)
低 电压 可擦可编程只读存储器 mcm
79LV0832
©2005 maxwell 技术
全部 权利 保留.
01.10.05 rev 8
f
性质
:
• 256k x 32-有点 可擦可编程只读存储器 mcm
•R
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ak
® 辐射-硬化 反对 天然
空间 辐射
• 合计 剂量 硬度:
- >100 克拉 (si)
- 从属 在 影响范围
• 优秀 单独 事件 效果
- 选择
th
> 84.7 mev/毫克/厘米
2
- seu > 26.6 mev/毫克/厘米
2
阅读 模式
- seu = 11.4 mev/毫克/厘米
2
写 模式
• 高 耐力
- 10,000 循环次数/dword, 10 年份 数据 保留
• 第页 写 模式: 2 x 128 dword 第页
• 高 速度:
- 200 和 250 ns 最大值 访问权限 次
• 自动 编程
- 15 ms 自动 第页/dword 写
d
ESCRIPTION
:
maxwell 技术’ 79lv0832 多芯片 模块 (mcm)
记忆 特点 一个 更大 比 100 克拉 (si) 合计 剂量 托勒-
标准, 从属 在 影响范围. 使用 maxwell 技术’ pat-
已记录 辐射-硬化 右
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® mcm 包装
技术, 这 79lv0832 是 这 第一 辐射-硬化 8
兆位 mcm 可擦可编程只读存储器 用于 空间 应用程序. 这 79lv0832
用途 八 1 兆位 高 速度 cmos 模具 至 产量 一个 8
兆位 产品. 这 79lv0832 是 有能力 的 在系统内 电气-
测量 dword 和 第页 可编程性. 它 有 一个 128 x 32 字节
第页 编程 功能 至 制造 其 擦除 和 写 歌剧-
区域 更快. 它 也 特点 数据
轮询 和 一个 准备就绪/忙
信号 至 指示 这 竣工 的 擦除 和 编程
运营. 入点 这 79lv0832, 硬件 数据 保护 是 专业版-
vided 与 这 res
管脚. 软件 数据 保护 是 imple-
已结成 使用 这 电子元件工业联合会 标准 算法.
maxwell 技术' 专利 右
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® 包装 技术-
ogy 包含 辐射 屏蔽 入点 这 微电路 空调组件-
年龄. 它 消除 这 需要 用于 框 屏蔽 同时 提供
这 必填项 辐射 屏蔽 用于 一个 使用寿命 入点 影响范围 或 空间
任务. 入点 一个 geo 影响范围, 右
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®‘ 提供 更大 比 100
克拉 (si) 辐射 剂量 公差. 这个 产品 是 可用
与 筛选 向上 至 maxwell 技术 自我-已定义 类
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