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记忆
全部 数据 床单 是 主题 至 变更 无 通知
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20 兆位 (512k x 40-有点) 低
低 电压 可擦可编程只读存储器 mcm
79LV2040
©2005 maxwell 技术
全部 权利 保留.
09.07.05 rev 1
f
性质
:
• 512k x 40-有点 可擦可编程只读存储器 mcm
•R
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-p
ak
® 辐射-硬化 反对 天然
• 空间 辐射
• 合计 剂量 硬度:
- >100 克拉 (si)
- 从属 在 影响范围
• 优秀 单独 事件 效果
- 选择
th
> 84 mev/毫克/厘米
2
- seu > 37 mev/毫克/厘米
2
阅读 模式
- seu = 11.4 mev/毫克/厘米
2
写 模式
• 高 耐力
- 10,000 循环次数 (第页 编程 模式)
- 10 年份 数据 保留
• 第页 写 模式: 128 dword 第页
• 高 速度:
- 200 和 250 ns 最大值 访问权限 次
• 自动 编程
- 15 ms 自动 第页/dword 写
• 低 电源 耗散
- 100 mw/mhz 活动 电流
- 1.5 mw 备用 电流
d
ESCRIPTION
:
maxwell 技术’ 79lv2040 多芯片 模块 (mcm)
记忆 特点 一个 更大 比 100 克拉 (si) 合计 剂量 托勒-
标准, 从属 在 影响范围. 使用 maxwell 技术’ pat-
已记录 辐射-硬化 右
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ak
® mcm 包装
技术, 这 79lv2040 是 这 第一 辐射-硬化 8
兆位 mcm 可擦可编程只读存储器 用于 空间 应用程序. 这 79lv2040
用途 二十 1 兆位 高 速度 cmos 模具 至 产量 一个 20
兆位 产品. 这 79lv2040 是 有能力 的 在系统内 电气-
测量 字节 和 第页 可编程性. 它 有 一个 128 x 40 第页
编程 功能 至 制造 这 擦除 和 写 运营
更快. 它 也 特点 数据
轮询 和 一个 准备就绪/忙信号 至
指示 这 竣工 的 擦除 和 编程 运营.
入点 这 79lv2040, 硬件 数据 保护 是 提供 与
这 res
管脚, 入点 加法 至 噪声 保护 开启 这 我们信号
和 写 抑制 开启 电源 开启 和 关. 软件 数据 保护
是 已实施 使用 这 电子元件工业联合会 可选 标准 算法.
maxwell 技术' 专利 右
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® 包装 技术-
ogy 包含 辐射 屏蔽 入点 这 微电路 空调组件-
年龄. 它 消除 这 需要 用于 框 屏蔽 同时 提供
这 必填项 辐射 屏蔽 用于 一个 使用寿命 入点 影响范围 或 空间
任务. 入点 一个 geo 影响范围, 右
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提供 更大 比 100
克拉 (si) 辐射 剂量 公差. 这个 产品 是 可用
与 筛选 向上 至 maxwell 技术 自我-已定义 类
k
逻辑 图表
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