1
motorola small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
vhf/uhf 晶体管
npn 硅
最大 比率
比率 标识 值 单位
collector–emitter 电压 V
CEO
25 Vdc
collector–base 电压 V
CBO
30 Vdc
emitter–base 电压 V
EBO
3.0 Vdc
设备 标记
mmbth10lt1 = 3em
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
总的 设备 消耗 fr-5 板
(1)
T
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
225
1.8
mW
mw/
°
C
热的 阻抗 接合面 至 包围的 R
θ
JA
556
°
c/w
总的 设备 消耗
alumina 基质,
(2)
T
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
300
2.4
mW
mw/
°
C
热的 阻抗 接合面 至 包围的 R
θ
JA
417
°
c/w
接合面 和 存储 温度 T
J
, t
stg
– 55 至 +150
°
C
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的
标识 最小值 Typ 最大值 单位
止 特性
collector–emitter 损坏 电压 (i
C
= 1.0 madc, i
B
= 0) V
(br)ceo
25 — — Vdc
collector–base 损坏 电压 (i
C
= 100
µ
模数转换器, i
E
= 0) V
(br)cbo
30 — — Vdc
emitter–base 损坏 电压 (i
E
= 10
µ
模数转换器, i
C
= 0) V
(br)ebo
3.0 — — Vdc
集电级 截止 电流 (v
CB
= 25 vdc, i
E
= 0) I
CBO
— — 100 nAdc
发射级 截止 电流 (v
EB
= 2.0 vdc, i
C
= 0) I
EBO
— — 100 nAdc
1. fr–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 在.
2. alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 在. 99.5% alumina
热的 clad 是 一个 注册 商标 的 这 berquist 公司.
Preferred
设备 是 motorola 推荐 choices 为 future 使用 和 最好的 整体的 值.
顺序 这个 文档
用 mmbth10lt1/d
MOTOROLA
半导体 技术的 数据
MMBTH10LT1
情况 318-08, 样式 6
sot-23 (至-236ab)
1
2
3
motorola preferred 设备
motorola, 公司 1997
集电级
3
1
根基
2
发射级
: 点此下载
