leshan 无线电 公司, 有限公司.
k2–1/2
2
发射级
3
集电级
1
根基
初步的 信息
一般 目的 晶体管
pnp 硅
最大 比率
比率 标识 值 单位
collector–emitter 电压 V
CEO
– 60 Vdc
collector–base 电压 V
CBO
– 60 Vdc
emitter–base 电压 V
EBO
– 5.0 Vdc
集电级 电流 — 持续的 I
C
– 600 mAdc
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
总的 设备 消耗 fr– 5 板, (1) P
D
150 mW
T
一个
= 25°c
热的 阻抗, 接合面 至 包围的 R
θ
JA
833 °c/w
接合面 和 存储 温度 T
J
, t
stg
–55 至 +150 °C
设备 标记
mmbt2907awt1 = 2f
电的 特性
(t
一个
= 25°c 除非 否则 指出.)
典型的 标识 最小值 最大值 单位
止 特性
collector–emitter 损坏 电压(2) V
(br)ceo
–60 — Vdc
(i
C
= – 10 madc, i
B
= 0)
collector–emitter 损坏 电压
V
(br)cbo
–60 — Vdc
(i
C
= – 10 madc, i
E
= 0)
emitter–base 损坏 电压
V
(br)ebo
–5.0 — Vdc
(i
E
= –10
µ
模数转换器, i
C
= 0)
根基 截止 电流
I
BL
— – 50 nAdc
( v
CE
= –30vdc, v
eb(止)
= –0.5vdc )
集电级 截止 电流
I
CEX
— – 50 nAdc
( v
CE
= –30vdc, v
eb(止)
= –0.5vdc )
1. fr–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.
2. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
<
300
µ
s, 职责 循环
<
2.0%.
这些 晶体管 是 设计 为 一般 目的
mplifier 产品. 它们 是 housed 在 这 sot–323/
sc–70 包装 这个 是 设计 为 低 电源 表面
挂载 产品.
1
3
2
MMBT2907AWT1
情况 419–02 , 样式 3
sot–323 / sc – 70
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