npn 硅
最大 比率
比率 标识 值 单位
collector–emitter 电压 V
CEO
60 Vdc
collector–base 电压 V
CBO
60 Vdc
emitter–base 电压 V
EBO
6.0 Vdc
集电级 电流 — 持续的 I
C
100 mAdc
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
总的 设备 消耗 fr–5 板
(1)
T
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
225
1.8
mW
mw/
°
C
热的 阻抗, 接合面 至 包围的 R
JA
556
°
c/w
总的 设备 消耗
alumina 基质,
(2)
T
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
300
2.4
mW
mw/
°
C
热的 阻抗, 接合面 至 包围的 R
JA
417
°
c/w
接合面 和 存储 温度 T
J
, t
stg
–55 至 +150
°
C
设备 标记
mmbt2484lt1 = 1u
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的 标识 最小值 最大值 单位
止 特性
collector–emitter 损坏 电压
(i
C
= 10 madc, i
B
= 0)
V
(br)ceo
60 —
Vdc
collector–base 损坏 电压
(i
C
= 10
模数转换器, i
E
= 0)
V
(br)cbo
60 —
Vdc
emitter–base 损坏 电压
(i
E
= 10
模数转换器, i
C
= 0)
V
(br)ebo
5.0 —
Vdc
集电级 截止 电流
(v
CB
= 45 vdc, i
E
= 0)
(v
CB
= 45 vdc, i
E
= 0, t
一个
= 150
°
c)
I
CBO
—
—
10
10
nAdc
µ
模数转换器
发射级 截止 电流
(v
EB
= 5.0 vdc, i
C
= 0)
I
EBO
— 10
nAdc
1. fr–5 = 1.0
0.75
0.062 在.
2. alumina = 0.4
0.3
0.024 在. 99.5% alumina.
半导体 组件 industries, llc, 2001
october, 2001 – rev. 2
1
发行 顺序 号码:
mmbt2484lt1/d
1
2
3
情况 318–08, 样式 6
sot–23 (to–236)
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