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摩托罗拉 small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
高 电压 晶体管
npn 硅
最大值 额定值
评级 符号 值 单位
收集器– 发射器 电压 v
CEO
140 Vdc
收集器– 底座 电压 v
CBO
160 Vdc
发射器– 底座 电压 v
EBO
6.0 Vdc
收集器 电流 — 连续 我
c
600 mAdc
热 特性
特性 符号 最大值 单位
合计 设备 耗散 fr–5 板
(1)
t
一个
= 25
°
c
降额 以上 25
°
c
p
d
225
1.8
mW
mw/
°
c
热 电阻, 接合点 至 环境
右
q
ja
556
°
c/w
合计 设备 耗散
氧化铝 基材,
(2)
t
一个
= 25
°
c
降额 以上 25
°
c
p
d
300
2.4
mW
mw/
°
c
热 电阻, 接合点 至 环境
右
q
ja
417
°
c/w
接合点 和 存储 温度 t
j
, t
stg
– 55 至 +150
°
c
设备 标记
mmbt5550lt1 = m1f; mmbt5551lt1 = g1
电气 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 已注明)
特性
符号 最小 最大值 单位
关 特性
收集器– 发射器 击穿 电压
(3)
(我
c
= 1.0 madc, 我
B
= 0) MMBT5550
MMBT5551
v
(br)ceo
140
160
—
—
Vdc
收集器– 底座 击穿 电压
(我
c
= 100
m
adc, 我
e?
= 0) MMBT5550
MMBT5551
v
(br)cbo
160
180
—
—
Vdc
发射器– 底座 击穿 电压
(我
e?
= 10
m
adc, 我
c
= 0)
v
(br)ebo
6.0 —
Vdc
收集器 截止 电流
(v
cb
= 100 vdc, 我
e?
= 0) MMBT5550
(v
cb
= 120 vdc, 我
e?
= 0) MMBT5551
(v
cb
= 100 vdc, 我
e?
= 0, t
一个
= 100
°
c) MMBT5550
(v
cb
= 120 vdc, 我
e?
= 0, t
一个
= 100
°
c) MMBT5551
我
CBO
—
—
—
—
100
50
100
50
nAdc
µ
adc
发射器 截止 电流
(v
eb
= 4.0 vdc, 我
c
= 0)
我
EBO
— 50
nAdc
1. FR– 5 = 1.0
0.75
0.062 入点.
2. 氧化铝 = 0.4
0.3
0.024 入点. 99.5% 氧化铝.
3. 脉冲 测试一下: 脉冲 宽度 = 300
m
s, 职责 循环 = 2.0%.
热 包层 是 一个 商标 的 这 bergquist 公司
首选
设备 是 摩托罗拉 推荐 选择 用于 未来 使用 和 最好 总体 值.
订单 这个 文件
由 mmbt5550lt1/d
摩托罗拉
半导体 技术类 数据
MMBT5550LT1
MMBT5551LT1
1
2
3
案例 318 – 08, 风格 6
SOT– 23 (至 – 236ab)
*motorola 首选 设备
*
摩托罗拉, 公司 1996
收集器
3
1
底座
2
发射器
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