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motorola small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
JFET 一般 目的 晶体管
P–Channel
最大 比率
比率 标识 值 单位
drain–gate 电压 V
DG
40 Vdc
反转 gate–source 电压 V
GSR
40 Vdc
向前 门 电流 I
GF
10 mAdc
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
总的 设备 消耗 fr– 5 板
(1)
T
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
225
1.8
mW
mw/
°
C
热的 阻抗, 接合面 至 包围的
R
q
JA
556
°
c/w
接合面 和 存储 温度 T
J
, t
stg
– 55 至 +150
°
C
设备 标记
mmbf5460lt1 = 6e
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的 标识 最小值 Typ 最大值 单位
止 特性
gate–source 损坏 电压 (i
G
= 10
µ
模数转换器, v
DS
= 0) V
(br)gss
40 — — Vdc
门 反转 电流
(v
GS
= 20 vdc, v
DS
= 0)
(v
GS
= 20 vdc, v
DS
= 0, t
一个
= 100
°
c)
I
GSS
—
—
—
—
5.0
1.0
nAdc
µ
模数转换器
门 源 截止 电压 (v
DS
= 15 vdc, i
D
= 1.0
µ
模数转换器) V
gs(止)
0.75 — 6.0 Vdc
门 源 电压 (v
DS
= 15 vdc, i
D
= 0.1 madc) V
GS
0.5 — 4.0 Vdc
在 特性
zero–gate–voltage 流 电流 (v
DS
= 15 vdc, v
GS
= 0) I
DSS
–1.0 — – 5.0 mAdc
small–signal 特性
向前 转移 admittance (v
DS
= 15 vdc, v
GS
= 0, f = 1.0 khz) |Y
fs
| 1000 — 4000
µ
mhos
输出 admittance (v
DS
= 15 vdc, v
GS
= 0, f = 1.0 khz) |y
os
| — — 75
µ
mhos
输入 电容 (v
DS
= 15 vdc, v
GS
= 0, f = 1.0 mhz) C
iss
— 5.0 7.0 pF
反转 转移 电容 (v
DS
= 15 vdc, v
GS
= 0, f = 1.0 mhz) C
rss
— 1.0 2.0 pF
相等的 short–circuit 输入 噪音 电压
(v
DS
= 15 vdc, v
GS
= 0, r
G
= 1.0 m
Ω
,
f = 100 hz, bw = 1.0 hz)
e
n
— 20 —
nV
ń
Hz
Ǹ
1. FR– 5 = 1.0
0.75
0.062 在.
热的 clad 是 一个 商标 的 这 bergquist 公司
顺序 这个 文档
用 mmbf5460lt1/d
MOTOROLA
半导体 技术的 数据
MMBF5460LT1
1
2
3
情况 318 – 08, 样式 10
SOT– 23 (至 – 236ab)
motorola, 公司 1997
2 源
3
门
1 流
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