SMBJ12A822
smbj12a822, rev. b
SMBJ12A822
600 watt unidirectional 瞬时 电压 suppressor
绝对 最大 比率
(便条 1)
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
便条 1)
这些 比率 是 限制的 值 在之上 这个 serviceability 的 任何 半导体 设备 将 是 impaired.
便条 2)
量过的 在 8.3ms 单独的 half-sine 波 或者 相等的 正方形的 波. 职责 循环=4 脉冲 每 分钟 maximum.
热的 特性
做-214aa(smb)
颜色 带宽 denotes cathode
设备 标记:le.
2002 仙童 半导体 公司
电的 特性
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
标识
参数
值
单位
P
PPM
顶峰 脉冲波 电源 消耗 在 10/1000
µ
s 波形
600 w
I
PPM
顶峰 脉冲波 电流 在 10/1000
µ
s 波形
17.5 一个
I
FSM
非-repetitive 顶峰 向前 surge 电流 superimposed 在 评估
加载 (电子元件工业联合会 方法)(便条 2)
100 一个
标识
参数
值
单位
V
BR
损坏 电压 在 i
T
= 1.0ma 13.2 – 14.3 V
α
T
最大 温度 系数 的 v
BR
0.084
%/
°
C
V
RWM
反转 保卫-止 电压 12 V
I
R
最大 反转 泄漏 电流 @v
RWM
5
µ
一个
V
C
最大 夹紧 电压 @i
PPM
15.6 v
标识
参数
值
单位
R
θ
JA
热的 阻抗 从 接合面 至 包围的 100
°
c/w
R
θ
JL
热的 阻抗 从 接合面 至 leads 20
°
c/w
T
STG
存储 温度 范围 -65 至 +175
°
C
T
J
运行 接合面 温度 -65 至 +150
°
C
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