首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:1045225
 
资料名称:SST39VF160-70-4C-BK
 
文件大小: 252K
   
说明
 
介绍:
16 Megabit (1M x 16-Bit) Multi-Purpose Flash
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号SST39VF160-70-4C-BK的Datasheet PDF文件第2页
2
浏览型号SST39VF160-70-4C-BK的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号SST39VF160-70-4C-BK的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号SST39VF160-70-4C-BK的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号SST39VF160-70-4C-BK的Datasheet PDF文件第6页
6
浏览型号SST39VF160-70-4C-BK的Datasheet PDF文件第7页
7
浏览型号SST39VF160-70-4C-BK的Datasheet PDF文件第8页
8
浏览型号SST39VF160-70-4C-BK的Datasheet PDF文件第9页
9
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1
16 megabit (1m x 16-位) multi-目的 flash
sst39vf160q / sst39vf160
进步 信息
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
© 1998 硅 存储 技术, 公司 这 sst 标志 和 superflash 是 注册 商标 的 硅 存储 技术, inc. mpf 是 一个 商标 的 硅 存储 技术, 公司
329-09 11/98 这些 规格 是 主题 至 改变 没有 注意.
特性:
有组织的 作 1 m x 16
单独的 2.7v-仅有的 读 和 写 行动
•V
DDQ
为 sst39vf160q
-v
DDQ
不 有 在 sst39vf160
更好的 可靠性
- 忍耐力: 100,000 循环 (典型)
- 更好 比 100 年 数据 保持
低 电源 消耗量:
- 起作用的 电流: 15 毫安 (典型)
- 备用物品 电流: 3 µa (典型)
- 自动 低 电源 模式: 3 µa (典型)
小 sector 擦掉 能力 (512 sectors)
- uniform 2 kword sectors
块 擦掉 能力 (32 blocks)
- uniform 32 kword blocks
快 读 进入 时间:
- 70 和 90 ns
latched 地址 和 数据
快 sector 擦掉 和 文字 程序:
- sector 擦掉 时间: 3 ms 典型
- 块 擦掉 时间: 7 ms 典型
- 碎片 擦掉 时间: 15 ms 典型
- 文字 程序 时间: 7 µs 典型
- 碎片 rewrite 时间: 7 秒
自动 写 定时
- 内部的 v
pp
一代
终止 的 写 发现
- toggle 位
- data# polling
cmos i/o 兼容性
电子元件工业联合会 标准
-
可擦可编程只读存储器 pinouts 和 command 设置
包装 有
- 48-管脚 tsop (12mm x 20mm)
- 6 x 8 球 tfbga
产品 描述
这 sst39vf160q/vf160 设备 是 1m x 16 cmos
multi-目的 flash (mpf) 制造的 和 sst’s
专卖的, 高 效能 cmos superflash tech-
nology. 这 分割-门 cell 设计 和 厚 oxide tunnel-
ing injector attain 更好的 可靠性 和 manufacturability
对照的 和 alternate approaches. 这
sst39vf160q/vf160 写 (程序 或者 擦掉) 和 一个
2.7v-仅有的 电源 供应. 这 sst39vf160q/vf160
遵从 至 电子元件工业联合会 标准 pinouts 为 x16 memories.
featuring 高 效能 文字 程序, 这
sst39vf160q/vf160 设备 提供 一个 最大
文字-程序 时间 的 10 µsec. 这 全部 记忆 能
典型地 是 erased 和 编写程序 文字 用 文字 在 7
秒, 当 使用 接口 特性 此类 作 toggle
位 或者 data# polling 至 表明 这 completion 的 程序
运作. 至 保护 相反 inadvertent 写, 这
sst39vf160q/vf160 有 在-碎片 硬件 和 软-
ware 数据 保护 schemes. 设计, manufac-
tured, 和 测试 为 一个 宽 spectrum 的 产品, 这
sst39vf160q/vf160 是 offered 和 一个 有保证的
忍耐力 的 10,000 循环. 数据 保持 是 评估 在
更好 比 100 年.
这 sst39vf160q/vf160 设备 是 suited 为 appli-
cations 那 需要 便利的 和 economical updating
的 程序, 配置, 或者 数据 记忆. 为 所有 sys-
tem 产品, 这 sst39vf160q/vf160 signifi-
cantly 改进 效能 和 可靠性, 当 更小的-
ing 电源 消耗量. 这 sst39vf160q/vf160 在-
herently 使用 较少 活力 在 使容易 和 程序 比
alternative flash 科技. 这 总的 活力 con-
sumed 是 一个 函数 的 这 应用 电压, 电流, 和
时间 的 应用. 自从 为 任何 给 电压 范围, 这
superflash 技术 使用 较少 电流 至 程序 和
有 一个 shorter 擦掉 时间, 这 总的 活力 consumed
在 任何 擦掉 或者 程序 运作 是 较少 比
alternative flash 科技. 这 sst39vf160q/
vf160 也 改进 flexibility 当 lowering 这 费用 为
程序, 数据, 和 配置 存储 产品.
这 superflash 技术 提供 fixed 擦掉 和
程序 时间, 独立 的 这 号码 的 忍耐力
循环 那 有 occurred. 因此 这 系统
软件 或者 硬件 做 不 有 至 是 修改 或者
de-评估 作 是 需要 和 alternative flash technolo-
gies, 谁的 擦掉 和 程序 时间 增加 和
accumulated 忍耐力 循环.
至 满足 高 密度, 表面 挂载 (所需的)东西, 这
sst39vf160q/vf160 是 offered 在 48-管脚 tsop 和
48-管脚 tfbga 包装. 看 计算数量 1 和 2 为
pinouts.
设备 运作
commands 是 使用 至 initiate 这 记忆 运作
功能 的 这 设备. commands 是 写 至 这
设备 使用 标准 微处理器 写 sequences.
一个 command 是 写 用 asserting we# 低 当
keeping ce# 低. 这 地址 总线 是 latched 在 这
下落 边缘 的 we# 或者 ce#, whichever occurs last. 这
数据 总线 是 latched 在 这 rising 边缘 的 we# 或者 ce#,
whichever occurs 第一.
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com