初步的 规格
©2003 硅 存储 技术, 公司
s71223-03-000 11/03
1
这 sst 标志 和 superflash 是 注册 商标 的 硅 存储 技术, 公司
mpf 是 一个 商标 的 硅 存储 技术, 公司
这些 规格 是 主题 至 改变 没有 注意.
16 mbit / 32 mbit / 64 mbit (x16) multi-目的 flash 加
sst39vf1601 / sst39vf3201 / sst39vf6401
sst39vf1602 / sst39vf3202 / sst39vf6402
特性:
• 有组织的 作 1m x16: sst39vf1601/1602
2m x16: sst39vf3201/3202
4m x16: sst39vf6401/6402
• 单独的 电压 读 和 写 行动
– 2.7-3.6v
• 更好的 可靠性
– 忍耐力: 100,000 循环 (典型)
– 更好 比 100 年 数据 保持
• 低 电源 消耗量 (典型 值 在 5 mhz)
– 起作用的 电流: 9 毫安 (典型)
– 备用物品 电流: 3 µa (典型)
– 自动 低 电源 模式: 3 µa (典型)
• 硬件 块-保护/wp# 输入 管脚
– 顶 块-保护 (顶 32 kword)
为 sst39vf1602/3202/6402
– bottom 块-保护 (bottom 32 kword)
为 sst39vf1601/3201/6401
• sector-擦掉 能力
– uniform 2 kword sectors
• 块-擦掉 能力
– uniform 32 kword blocks
• 碎片-擦掉 能力
• 擦掉-suspend/擦掉-重新开始 能力
• 硬件 重置 管脚 (rst#)
• 安全-id 特性
– sst: 128 位; 用户: 128 位
• 快 读 进入 时间:
– 70 ns
– 90 ns
• latched 地址 和 数据
• 快 擦掉 和 文字-程序:
– sector-擦掉 时间: 18 ms (典型)
– 块-擦掉 时间: 18 ms (典型)
– 碎片-擦掉 时间: 40 ms (典型)
– 文字-程序 时间: 7 µs (典型)
• 自动 写 定时
– 内部的 v
PP
一代
• 终止-的-写 发现
– toggle 位
– data# polling
• cmos i/o 兼容性
• 电子元件工业联合会 标准
– flash 可擦可编程只读存储器 pinouts 和 command sets
• 包装 有
– 48-含铅的 tsop (12mm x 20mm)
– 48-球 tfbga (6mm x 8mm) 为 16m 和 32m
– 48-球 tfbga (8mm x 10mm) 为 64m
产品 描述
这 sst39vf160x/320x/640x 设备 是 1m x16, 2m
x16, 和 4m x16 各自, cmos multi-目的
flash 加 (mpf+) 制造的 和 sst’s 专卖的,
高 效能 cmos superflash 技术. 这
分割-门 cell 设计 和 厚-oxide tunneling injector
attain 更好的 可靠性 和 manufacturability 对照的
和 alternate approaches. 这 sst39vf160x/320x/640x
写 (程序 或者 擦掉) 和 一个 2.7-3.6v 电源 供应.
这些 设备 遵从 至 电子元件工业联合会 标准 pinouts 为
x16 memories.
featuring 高 效能 文字-程序, 这
sst39vf160x/320x/640x 设备 提供 一个 典型 文字-
程序 时间 的 7 µsec. 这些 设备 使用 toggle 位 或者
data# polling 至 表明 这 completion 的 程序 opera-
tion. 至 保护 相反 inadvertent 写, 它们 有 在-碎片
硬件 和 软件 数据 保护 schemes.
设计, 制造的, 和 测试 为 一个 宽 spectrum 的
产品, 这些 设备 是 offered 和 一个 有保证的
典型 忍耐力 的 100,000 循环. 数据 保持 是 评估
在 更好 比 100 年.
这 sst39vf160x/320x/640x 设备 是 suited 为 appli-
cations 那 需要 便利的 和 economical updating 的
程序, 配置, 或者 数据 记忆. 为 所有 系统
产品, 它们 significantly 改进 效能 和
可靠性, 当 lowering 电源 消耗量. 它们 inher-
ently 使用 较少 活力 在 擦掉 和 程序 比 改变-
native flash 科技. 这 总的 活力 consumed 是 一个
函数 的 这 应用 电压, 电流, 和 时间 的 applica-
tion. 自从 为 任何 给 电压 范围, 这 superflash
技术 使用 较少 电流 至 程序 和 有 一个 shorter
擦掉 时间, 这 总的 活力 consumed 在 任何 擦掉 或者
程序 运作 是 较少 比 alternative flash technolo-
gies. 这些 设备 也 改进 flexibility 当 lowering
这 费用 为 程序, 数据, 和 配置 存储 appli-
cations.
这 superflash 技术 provides fixed 擦掉 和 pro-
gram 时间, 独立 的 这 号码 的 擦掉/程序
循环 那 有 occurred. therefore 这 系统 软件
或者 硬件 做 不 有 至 是 修改 或者 de-评估 作 是
需要 和 alternative flash 科技, 谁的
擦掉 和 程序 时间 增加 和 accumulated
擦掉/程序 循环.
sst39vf160x / 320x / 640x2.7v 16mb / 32mb / 64mb (x16) mpf+ memories
: 点此下载
