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资料编号:1051317
 
资料名称:UMT18N
 
文件大小: 78K
   
说明
 
介绍:
General purpose transistors (dual transistors)
 
 


: 点此下载
 
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2
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
emt18 / umt18n
晶体管
一般 目的 晶体管
(双 晶体管)
emt18 / umt18n
z
zz
z
特性
1) 二 2sa2018 碎片 在 一个 emt 或者 umt 包装.
2) 挂载 可能 和 emt3 或者 umt3 自动
挂载 machines.
3) 晶体管 elements 是 独立, eliminating
干扰.
z
zz
z
结构
npn 硅 晶体管
这 下列的 特性 应用 至 两个都 tr
1
和 tr
2.
z
zz
z
相等的 电路
emt18 / umt18n
(3) (2) (1)
(4) (6)(5)
Tr
2
Tr
1
z
zz
z
绝对 最大 比率
(ta=25
°
c)
z
zz
z
外部 维度
(单位 : mm)
rohm : emt6
EMT18
rohm : umt6
eiaj : sc-88
UMT18N
abbreviated 标识 : t18
abbreviated 标识 : t18
各自 含铅的 有 一样 维度
各自 含铅的 有 一样 维度
0to0.1
(
6
)
2.0
1.3
0.9
0.15
0.7
0.1min.
2.1
0.65
0.2
1.25
(
1
)
0.65
(
4
)
(
3
)
(
2
)
(
5
)
0.22
1.2
1.6
(
1
)
(
2
)(
5
)
(
3
)
(
6
)
(
4
)
0.13
0.5
0.5
0.5
1.0
1.6
集电级-根基 电压
集电级-发射级 电压
发射级-根基 电压
集电级 电流
接合面 温度
存储 温度
电源 消耗
1 120mw 每 元素 必须 不 是 超过.
参数 标识
限制
单位
V
CBO
15 V
12
V
V
V
CEO
V
EBO
6
I
C
毫安
500
Tj 150 ˚C
Tstg
55
∼+
150 ˚C
P
C
150 (总的)
mW
1
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