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mos 地方 效应 晶体管
µ
µµ
µ
PA677TB
n-频道 mos 地方 效应 晶体管
为 切换
数据 薄板
文档 非. g16598ej1v0ds00 (1st 版本)
日期 发行 march 2003 ns cp(k)
打印 在 日本
2003
描述
这
µ
pa677tb 是 一个 切换 设备 这个 能 是 驱动
直接地 用 一个 2.5 v 电源 源.
这
µ
pa677tb 特性 一个 低 在-状态 阻抗 和 极好的
切换 特性, 和 是 合适的 为 产品 此类 作
电源 转变 的 可携带的 机器 和 所以 在.
特性
•
2.5 v 驱动 有
•
低 在-状态 阻抗
R
ds(在)1
= 0.57
Ω
最大值 (v
GS
= 4.5 v, i
D
= 0.30 一个)
R
ds(在)2
= 0.60
Ω
最大值 (v
GS
= 4.0 v, i
D
= 0.30 一个)
R
ds(在)3
= 0.88
Ω
最大值 (v
GS
= 2.5 v, i
D
= 0.15 一个)
•
二 mos 场效应晶体管 电路 在 一样 大小 包装 作 sc-70
订货 信息
部分 号码 包装
µ
PA677TB sc-88 (ssp)
标记: wa
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25°c)
流 至 源 电压 (v
GS
= 0 v) V
DSS
20 V
门 至 源 电压 (v
DS
= 0 v) V
GSS
±12 V
流 电流 (直流) I
d(直流)
±0.35 一个
流 电流 (脉冲波)
Note1
I
d(脉冲波)
±1.40 一个
总的 电源 消耗(2units)
Note2
P
T
0.2 W
频道 温度 T
ch
150 °C
存储 温度 T
stg
−
55 至 +150 °C
注释 1.
PW
≤
10
µ
s, 职责 循环
≤
1%
2.
挂载 在 fr-4 板 的 2500 mm
2
x 1.1 mm 2units 总的.
Remark
这 二极管 连接 在 这 门 和 源 的 这 晶体管 serves 作 一个 protector 相反 静电释放. when
这个 设备 的确 使用, 一个 额外的 保护 电路 是 externally 必需的 如果 一个 电压 exceeding 这 评估
电压 将 是 应用 至 这个 设备.
提醒 这个 产品 是 静电的-敏感的 设备 预定的 至 低 静电释放 能力 和 应当 是 处理 和
提醒 为 静电的 释放.
V
静电释放
= ±200 v 典型值 (c = 200 pf, r = 0
Ω
ΩΩ
Ω
, 单独的 脉冲波)
包装 绘画 (单位: mm)
0.2
+0.1
-
0
0.15
+0.1
-
0.05
2.1 ±0.1
1.25 ±0.1
0.65
1.3
0.7
2.0 ±0.2
0.9 ±0.1
0 至 0.1
0.65
6
1
5
2
4
3
管脚 connectuon (顶 视图)
654
123
1:
2:
3:
4:
5:
6:
源 1
门 1
流 2
源 2
门 2
流 1
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