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2SA854S
晶体管
rev.一个 1/3
中等 电源 晶体管
(-32v, -0.5a)
2SA854S
z
特性
1) 大 i
C
.
I
cmax.
= -500ma
2) 低 v
ce(sat).
idea 为 低-电压 运作.
3) complements 这 2sc1741s.
z
结构
外延的 planar 类型
pnp 硅 晶体管
z
外部 维度
(单位 : mm)
denotes h
FE
∗
(15min.)
0.45
0.5
0.45
5
(1)
(2) (3)
0.05
0.15
0.15
0.05
2.5
0.4
0.1
3min.
2SA854S
(1) 发射级
(2) 集电级
(3) 根基
rohm : spt
eiaj : sc-72
4  0.2
±
2  0.2
±
3  0.2
±
−
+
−
+
−
+
z
绝对 最大 比率
(ta=25
°
c)
参数
集电级-根基 电压
集电级-发射级 电压
发射级-根基 电压
集电级 电流
集电级 电源 消耗
接合面 温度
存储 温度
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
Tj
Tstg
−
40
V
V
V
一个
W
−
32
−
5
−
0.5
∗
0.3
150
−
55 至
+
150
标识 限制 单位
∗
P
c 最大值
. 必须 不 是 超过.
°
C
°
C

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2SA854S 晶体管 rev.一个 1/3 中等电源晶体管 (-32v, -0.5a) 2SA854S z 特性 1) 大 i C . I cmax. = -500ma 2) 低 v ce(sat). idea 为低-电压运作. 3) complements 这 2sc1741s. z 结构外延的 planar 类型 pnp 硅晶体管 z 外部维度 (单位 : mm) denotes h FE ∗ (15min.) 0.45 0.5 0.45 5 (1) (2) (3) 0.05 0.15 0.15 0.05 2.5 0.4 0.1 3min. 2SA854S (1) 发射级 (2) 集电级 (3) 根基 rohm : spt eiaj : sc-72 4 0.2 ± 2 0.2 ± 3 0.2 ± − + − + − + z 绝对最大比率 (ta=25 ° c) 参数集电级-根基电压集电级-发射级电压发射级-根基电压集电级电流集电级电源消耗接合面温度存储温度 V CBO V CEO V EBO I C P C Tj Tstg − 40 V V V 一个 W − 32 − 5 − 0.5 ∗ 0.3 150 − 55 至 + 150 标识限制单位 ∗ P c 最大值 . 必须不是超过. ° C ° C

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